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P45N02LSG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: P45N02LSG-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P45N02LSG-VB

P45N02LSG-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高效率的功率场效应晶体管(Power MOSFET),适用于多种高可靠性应用场景。这种晶体管采用TrenchFET®技术制造,具有出色的开关特性和低导通电阻。主要应用于服务器、直流-直流转换器以及电源OR-ing电路等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS): 30 V
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C):
    - TC = 25 °C: 46 A
    - TC = 70 °C: 21 A
    - 单脉冲漏极电流 (IDM): 210 A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 39 A
    - 雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 连续源极-漏极二极管电流 (IS): 50 A (TC = 25 °C)
    - 最大功率耗散 (PD): 120 W (TC = 25 °C), 85 W (TC = 70 °C)
    - 工作结温和存储温度范围: -55 °C 至 175 °C
    热阻率
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 32 °C/W (最大)
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.5 °C/W (典型)

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 100% Rg 和 UIS 测试确保器件的长期可靠性。
    - TrenchFET®技术: 具有较低的导通电阻 (RDS(on)) 和较高的电流处理能力。
    - 环境友好: 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU。
    - 多功能适用性: 适用于服务器、直流-直流转换器及OR-ing电路等多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器: 用于数据中心和云服务器中,保证电源系统的高效稳定运行。
    - 直流-直流转换器: 在需要高转换效率的应用中,如通信设备和工业控制系统。
    - OR-ing电路: 在电源冗余设计中,实现无缝切换和电源保护。
    使用建议
    - 确保散热条件良好,避免长时间工作在高温环境下。
    - 选择合适的驱动电阻 (Rg),以优化开关时间和减少功耗。
    - 在恶劣环境中使用时,考虑外部散热措施,如散热片或冷却风扇。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品采用标准D2PAK封装(TO-263),易于安装和更换,与市场上主流的电源管理模块兼容。
    - 支持: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 导通电阻过高: 可能是由于工作温度过高导致。
    - 解决方案: 采取有效的散热措施,降低工作温度。
    - 漏极-源极电压过高: 可能是由于负载电流过大引起。
    - 解决方案: 检查负载电流并调整为合理范围。
    - 工作温度超出范围: 需要增加散热设施或减少负载电流。
    - 解决方案: 采取相应的散热措施或调整工作状态。

    总结和推荐


    总体而言,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 在性能、可靠性和应用范围方面表现出色。其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的适用性使其成为电源管理、服务器和其他高可靠性应用的理想选择。推荐在需要高效率、低损耗的应用场景中使用此产品。

P45N02LSG-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 70A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

P45N02LSG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P45N02LSG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P45N02LSG-VB P45N02LSG-VB数据手册

P45N02LSG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
800+ ¥ 2.1526
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型号 价格(含增值税)
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