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K2819-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K2819-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2819-VB

K2819-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高效率的电子元件,采用先进的 TrenchFET® 技术,广泛应用于多种电力转换和控制电路中。这种 MOSFET 主要用于 OR-ing(或选择),服务器电源管理,以及 DC/DC 转换等领域。其卓越的电气特性和可靠性使其成为许多高性能电子系统的理想选择。

    2. 技术参数


    - 工作电压: VDS 最大值为 30V
    - 持续漏极电流: 在 25 °C 下,最大漏极电流(ID)为 8A;在 70 °C 下,最大漏极电流(ID)为 1A
    - 脉冲漏极电流: IDM 最大值为 200A
    - 雪崩电流: IAS 最大值为 39A
    - 连续源极-漏极二极管电流: IS 最大值为 50A(在 25 °C)
    - 最大功耗: 在 25 °C 下为 100W,在 70 °C 下为 75W
    - 热阻: 最大结到环境热阻(RthJA)为 32°C/W
    - 结到壳体热阻(稳态): 最大值为 0.6°C/W
    - 静态特性:
    - 漏源击穿电压(VDS)为 30V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):在 VGS=10V,ID=21.8A 时为 0.007Ω;在 VGS=4.5V,ID=18A 时为 0.009Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):在 VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz 时为 2201pF
    - 输出电容(Coss):525pF
    - 反向转移电容(Crss):370pF
    - 总栅极电荷(Qg):在 VDS=15V,VGS=10V,ID=21.8A 时为 35nC;在 VDS=15V,VGS=4.5V,ID=21.8A 时为 25nC

    3. 产品特点和优势


    - 先进的 TrenchFET® 技术:保证高效的功率转换和低损耗。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品的可靠性和一致性。
    - 符合 RoHS 标准:环保材料,适用于对环境保护要求高的应用领域。
    - 高可靠性:通过严格的测试标准,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    - OR-ing 电路:MOSFET 可以实现电路之间的无缝切换,适用于多个电源的切换和冗余系统。
    - 服务器电源管理:作为负载开关,可以实现精准的电流控制,提高系统的稳定性和可靠性。
    - DC/DC 转换:适合于高频率转换场合,提高转换效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 连续使用时应注意功耗限制,合理选择电路参数,以保证长期稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与多种主板和电源管理模块兼容,适用范围广泛。
    - 支持和维护:厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何进行散热设计?
    - A: 使用散热片或散热风扇,保持良好的空气流通。

    - Q: 功率过大时如何防止过热?
    - A: 增加外部散热措施,如散热片或散热风扇,并适当降低负载电流。

    7. 总结和推荐


    总结:
    - 主要优点:高效节能,可靠性高,符合环保标准,应用广泛。
    - 推荐使用:适用于需要高效率和高可靠性的电力转换和控制场合,如服务器电源管理、DC/DC 转换及 OR-ing 电路等。
    推荐:
    强烈推荐使用这款 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,特别是对于那些需要高效率和高可靠性的电子系统。

K2819-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2819-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2819-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2819-VB K2819-VB数据手册

K2819-VB封装设计

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