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NK2300A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: NK2300A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NK2300A-VB

NK2300A-VB概述

    NK2300A N-Channel 20V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NK2300A 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N 沟道 20V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种类型的 MOSFET 在各种应用中展现出卓越的性能,包括 DC/DC 转换器和便携式应用中的负载开关。该器件符合 RoHS 指令,并且不含卤素,确保在环保方面也具有较高标准。

    技术参数


    以下是 NK2300A 的主要技术参数列表:
    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS):20V
    - 最大栅源电压(VGS):±12V
    - 击穿电压(VDS):20V
    - 电流参数:
    - 最大连续漏极电流(TJ=150°C):6A(TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):20A
    - 电阻参数:
    - 通态漏源电阻(RDS(on)):
    - 在 VGS=4.5V 时:0.028Ω
    - 在 VGS=2.5V 时:0.042Ω
    - 在 VGS=1.8V 时:0.050Ω
    - 电容参数:
    - 输入电容(Ciss):865pF
    - 输出电容(Coss):105pF
    - 反向传输电容(Crss):55pF
    - 热阻参数:
    - 最大结至环境热阻(RthJA):80°C/W

    产品特点和优势


    NK2300A 的主要特点是其低通态电阻(RDS(on)),尤其是在不同栅源电压下的表现,使得它在高电流应用中具有较低的功耗。此外,它还具有较好的温度稳定性,这使得它能够在较宽的温度范围内保持稳定性能。这些特性使其在便携式设备和高性能电路设计中特别有用。

    应用案例和使用建议


    NK2300A 可以应用于多种场合,如 DC/DC 转换器、便携式设备的负载开关等。在具体应用时,建议确保外部电路能够承受 MOSFET 工作期间产生的瞬态电压。例如,在设计电源转换电路时,应该考虑到 MOSFET 的最大工作电压和电流限制,避免过载损坏器件。同时,应根据应用场景选择合适的散热措施,确保 MOSFET 在高温环境下仍能可靠运行。

    兼容性和支持


    NK2300A 使用 SOT-23 封装,适用于大多数现代 PCB 设计。它与多种控制器和驱动器兼容,可广泛用于各种电子产品。制造商提供全面的技术支持和客户服务,包括详尽的技术文档、在线资源以及技术咨询,帮助用户顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:过热问题
    - 解决方案:增加外部散热措施,如使用散热片或风扇进行冷却。

    - 问题 2:开关损耗过大
    - 解决方案:检查并优化电路设计,适当调整驱动信号和负载条件,降低开关频率。
    - 问题 3:击穿电压不达标
    - 解决方案:检查连接线和电路板设计,确保所有焊接点牢固可靠,避免短路。

    总结和推荐


    总体来看,NK2300A 是一款高性价比的 N 沟道 MOSFET,尤其适合于需要高效率和低功耗的应用场合。其出色的电气特性和稳定性使其成为便携式设备和电源管理电路的理想选择。如果您正在寻找高性能的 MOSFET,强烈推荐使用 NK2300A。

NK2300A-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NK2300A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NK2300A-VB数据手册

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NK2300A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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