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NP88N055KLE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: NP88N055KLE-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP88N055KLE-VB

NP88N055KLE-VB概述

    NP88N055KLE N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NP88N055KLE 是一款由VBsemi公司生产的N沟道60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为D2PAK封装。这款MOSFET集成了先进的TrenchFET®技术,能够提供出色的功率密度和高可靠性。它广泛应用于开关电源、电机驱动和LED照明等领域。

    2. 技术参数


    以下是NP88N055KLE的主要技术参数和规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | 4.0 V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS 50 | μA |
    | 源漏导通电阻 | RDS(on) 4 | 15 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss 7000 | pF |
    | 输出电容 | Coss 715 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss 360 | pF |
    | 总栅电荷 | Qg 96 | 145 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | 24 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | 27 nC |
    | 开启延时时间 | td(on) 16 | 24 | ns |
    | 上升时间 | tr 14 | 21 | ns |
    | 关断延时时间 | td(off) 34 | 51 | ns |
    | 下降时间 | tf 9 | 14 | ns |
    | 源漏二极管脉冲电流 | ISM 450 | A |
    | 正向电压 | VSD 0.9 | 1.5 | V |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:采用先进的TrenchFET®技术,提供了低导通电阻和高电流处理能力,使得该MOSFET具有优异的功率密度和效率。
    - 低热阻封装:特别设计的封装结构使其具有低热阻特性,能够更有效地散热,提升长期稳定性。
    - 全检测试:产品经过100%的栅极电阻和雪崩能量测试,确保出厂质量。
    - 广泛应用:适用于多种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和LED照明等。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在LED驱动电路中作为开关元件,提高转换效率。
    - 在电动汽车充电桩中作为保护元件,提供过流和短路保护。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,避免过热导致性能下降。
    - 在开关频率较高的应用中,建议选择更低的栅电荷和栅漏电荷以减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    NP88N055KLE MOSFET采用了标准的D2PAK封装,可与其他标准D2PAK封装的产品互换使用。厂商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品规格书、设计指南和技术咨询等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高脉冲电流条件下,MOSFET过热。
    解决方案:增加散热片或优化PCB布局以增强散热效果。

    - 问题:启动延迟时间较长。
    解决方案:检查输入电压和负载情况,优化驱动电路参数以减少延迟。

    7. 总结和推荐


    NP88N055KLE是一款具备高性能和可靠性的N沟道60V MOSFET,尤其适合在高功率、高温环境中运行的应用。通过其独特的技术优势和广泛的适用范围,它在多个工业领域中展现出卓越的表现。鉴于其出色的设计和性能,强烈推荐在需要高效能、稳定可靠的电力电子应用中使用这款产品。

NP88N055KLE-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 150A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP88N055KLE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP88N055KLE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP88N055KLE-VB NP88N055KLE-VB数据手册

NP88N055KLE-VB封装设计

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