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KP8N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: KP8N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KP8N60F-VB

KP8N60F-VB概述

    # KP8N60F N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    KP8N60F 是一款高性能的N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),它集低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)于一体,特别适用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应及照明系统等领域。KP8N60F 的超低栅极电荷和较低的输入电容(Ciss)使其在高频率开关应用中表现出色,显著降低了开关损耗。

    技术参数


    KP8N60F 具备以下关键技术和性能参数:
    - 最大耐压:VDS = 650V
    - 最大连续漏极电流:ID (TJ=150°C) = 4.0 A
    - 最大脉冲漏极电流:IMD
    - 最大关断能量:EAS = 97 mJ
    - 最高工作温度:TJ, Tstg = -55 to +150°C
    - 输出电容:Coss
    - 有效输出电容(相关能量):Co(er)
    - 有效输出电容(时间相关):Co(tr)
    - 总栅极电荷:Qg = nC
    - 门源电荷:Qgs
    - 门漏电荷:Qgd
    - 反向恢复时间:trr = 190 ns
    - 反向恢复电荷:Qrr = 2.3 μC

    产品特点和优势


    KP8N60F 的独特之处在于其出色的低栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on)),这使得它能够在高频下运行而不会过度发热。其低输入电容(Ciss)和减少的开关损耗也使它成为开关模式电源系统和功率因数校正电路的理想选择。KP8N60F 以其出色的可靠性、高效能和广泛的适用范围在市场上具有显著的竞争力。

    应用案例和使用建议


    KP8N60F 适用于多种应用领域,例如:
    - 服务器和电信电源:这些应用需要高效率且稳定的电源转换器。
    - 开关模式电源(SMPS):KP8N60F 的低损耗特性非常适合用于此类应用。
    - 工业照明:包括高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡。
    使用建议
    在设计开关模式电源时,可以考虑以下优化方案:
    - 优化PCB布局:减少寄生电感,增加接地平面。
    - 选择合适的栅极驱动电阻:以平衡开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    KP8N60F 与多种标准电子设备和电路板兼容。制造商提供了详细的技术支持和维护文档,确保客户能够顺利地进行产品集成和调试。如需更多信息,请联系我们的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定 KP8N60F 的最大工作温度?
    解决方案:根据数据手册,KP8N60F 的最大工作温度为 150°C。建议将热管理作为设计的一部分,以确保长期稳定运行。

    - 问题2:如何测量 KP8N60F 的栅极电荷?
    解决方案:使用专业的测试仪器进行测量,并参考数据手册中的测试条件和方法。

    总结和推荐


    KP8N60F 在其核心参数方面表现出色,特别是在低栅极电荷和低导通电阻方面的优异性能使其成为高效电源转换器的理想选择。无论是对于服务器、电信设备还是工业照明领域,KP8N60F 都是一个可靠且高效的解决方案。因此,我们强烈推荐在相关应用中使用这款产品。
    如有更多问题或需要进一步的技术支持,请随时联系我们,服务热线:400-655-8788。

KP8N60F-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 10A
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KP8N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KP8N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KP8N60F-VB KP8N60F-VB数据手册

KP8N60F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
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1000+ ¥ 3.6425
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