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UPA1890GR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,-30V,-3.5A,RDS(ON),38mΩ@10V,45.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V) 封装:TSSOP8
供应商型号: UPA1890GR-VB TSSOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1890GR-VB

UPA1890GR-VB概述

    UPA1890GR N-Channel and P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UPA1890GR 是一款高效率的 N-Channel 和 P-Channel 30-V(D-S)MOSFET,广泛应用于电源管理和电动车辆控制等领域。这款器件具有较低的导通电阻和快速开关性能,使其在高压应用中表现出色。其卓越的性能和稳定性使其成为现代电子设备中的关键元件。

    技术参数


    以下是 UPA1890GR 的详细技术参数:
    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | N-Channel 电气特性
    | Drain-Source Breakdown Voltage (BVDSS) | 30 | - | - | V |
    | Static Drain-Source On-Resistance (RDS(ON)) | 22mΩ | - | - | mΩ |
    | Continuous Drain Current (ID) | 6.2A | - | - | A |
    | Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1 | - | 3 | V |
    | Forward Transconductance (gfs) | - | 14 | - | S |
    | N-Channel 绝对最大额定值
    | Drain-Source Voltage (VDS) | 30 | - | - | V |
    | Gate-Source Voltage (VGS) | +20 | - | - | V |
    | Continuous Drain Current (ID) | 6.2A | - | - | A |
    | Pulsed Drain Current (IDM) | 20 | - | - | A |
    | Total Power Dissipation (PD) | W | - | - | W |
    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | P-Channel 电气特性
    | Drain-Source Breakdown Voltage (BVDSS) | -30 | - | - | V |
    | Static Drain-Source On-Resistance (RDS(ON)) | 45mΩ | - | - | mΩ |
    | Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -3 | - | -1 | V |
    | Forward Transconductance (gfs) | - | 18 | - | S |
    | P-Channel 绝对最大额定值
    | Drain-Source Voltage (VDS) | -30 | - | - | V |
    | Gate-Source Voltage (VGS) | +20 | - | - | V |
    | Continuous Drain Current (ID) | -5.0A | - | - | A |
    | Pulsed Drain Current (IDM) | -18 | - | - | A |
    | Total Power Dissipation (PD) | W | - | - | W |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:N-Channel 配置下的 RDS(ON) 为 22mΩ,P-Channel 配置下的 RDS(ON) 为 45mΩ,这使得其在电流传导过程中能量损耗最小化。
    2. 高速开关性能:具备快速开关特性,可以提高系统的整体效率和响应速度。
    3. 环保材料:符合 RoHS 标准并采用无卤素材料,满足环保要求。
    4. 宽工作温度范围:可以在 -55°C 到 150°C 的极端温度下稳定运行,确保在各种环境下可靠工作。

    应用案例和使用建议


    UPA1890GR 主要用于以下几个方面:
    - 电源管理:用于开关电源,提供高效的电压转换。
    - 电动车辆控制:在电动车中用于电机控制,实现精确的速度和扭矩控制。
    - 工业自动化:适用于工业控制系统,提高系统整体性能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意考虑器件的最大电流和电压限制,以避免过载损坏。
    - 由于其具备良好的热性能,可以通过合理的散热设计进一步提升其性能。

    兼容性和支持


    UPA1890GR 与其他标准电子元器件具有良好的兼容性,适用于多种标准接口。VBsemi 提供详尽的技术支持文档和客户服务热线,以便用户能够更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何判断 MOSFET 是否损坏?
    答:通过测量其漏极-源极电阻(RDS(ON)),如果阻值异常高,则可能已经损坏。
    2. 问:器件的最高工作温度是多少?
    答:最高工作温度可达 150°C,但具体应用时需结合散热情况确定。
    3. 问:如何进行焊接操作?
    答:建议使用 208°C/W 的焊盘,确保焊接过程中不会因过热而损坏器件。

    总结和推荐


    UPA1890GR 在多个方面表现出色,包括其低导通电阻、快速开关性能和广泛的温度适应性。这些特点使它在电力电子和汽车控制等领域中具有强大的竞争力。强烈推荐使用该产品,尤其适合需要高性能和高可靠性的应用场合。

UPA1890GR-VB参数

参数
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@10V,45.6mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 3.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 N+P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TSSOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1890GR-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1890GR-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UPA1890GR-VB UPA1890GR-VB数据手册

UPA1890GR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
3000+ ¥ 3.1672
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