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NCE60R900F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: NCE60R900F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE60R900F-VB

NCE60R900F-VB概述

    NCE60R900F Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NCE60R900F 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高压电力转换和控制应用。这款 MOSFET 主要应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明和工业控制系统。

    2. 技术参数


    NCE60R900F 的关键技术参数如下:
    - 最大耐压 (VDS): 650 V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 57 A @ TJ = 25°C, 8 A @ TJ = 150°C
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 120 A (10 ms)
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 85 mJ
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 2 ~ 4 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 最大 0.82 Ω @ VGS = 10 V, ID = 4 A
    - 输入电容 (Ciss): 最大 35 pF @ VGS = 0 V, VDS = 100 V, f = 1 MHz
    - 输出电容 (Coss): 最大 10 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 最大 4 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大 40 nC @ VGS = 10 V, ID = 4 A, VDS = 520 V
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 最大 0.6 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    3. 产品特点和优势


    - 低电阻和低电容: NCE60R900F 具有非常低的导通电阻和电容,能够显著降低开关损耗和传导损耗。
    - 高可靠性: 通过严格的测试和验证,确保在极端环境下也能可靠运行。
    - 优秀的热管理能力: 极低的结到外壳热阻(RthJC)有助于散热,提高整体系统的效率和寿命。
    - 优化的雪崩能量耐受性: 能够承受高能瞬态电压,适合高可靠性需求的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源系统: 在这种环境中,NCE60R900F 可以显著提高电源转换效率,减少能耗。
    - 开关模式电源 (SMPS): 适用于需要高效能量转换的应用,如笔记本电脑充电器和消费电子产品。
    - 照明: 特别是在高亮度放电灯和荧光灯的驱动中,NCE60R900F 的高效能可以显著提升照明系统的整体性能。
    - 使用建议: 在设计电路时,确保合适的栅极驱动器,避免过高的 dV/dt 导致不必要的应力。同时,保持适当的散热措施,确保器件正常工作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: NCE60R900F 与多种标准的 PCB 封装和焊接工艺兼容,方便集成到现有系统中。
    - 技术支持: 制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括详尽的文档和在线资源,帮助用户快速解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中的高频振荡现象。
    - 解决方案: 使用低感性封装并优化 PCB 设计,减少寄生电感,采用专用的门驱动器以抑制振荡。
    - 问题: 过温保护未及时响应。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,安装外部热敏电阻监控温度,并配置合理的热保护机制。

    7. 总结和推荐


    总体来看,NCE60R900F 功率 MOSFET 以其出色的性能参数、卓越的可靠性和广泛的应用范围,成为了许多高压电力转换和控制应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高效能、高可靠性的场合。

NCE60R900F-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NCE60R900F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE60R900F-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE60R900F-VB NCE60R900F-VB数据手册

NCE60R900F-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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