处理中...

首页  >  产品百科  >  K20D60U-VB

K20D60U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 用于工业电机调速控制的电力电子调速器中,该型号的MOSFET可以实现高效的电能转换和调节,提高设备的运行效率。
供应商型号: K20D60U-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K20D60U-VB

K20D60U-VB概述

    K20D60U-VB 650V N-Channel Super Junction MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K20D60U-VB 是一款650V耐压的N沟道超级结MOSFET,具有出色的开关性能和低导通电阻(RDS(on))。它适用于多种高功率应用,包括电源转换、照明系统、焊接设备、太阳能逆变器及各种SMPS(开关模式电源)等。其独特的设计使其在高频应用中表现优异,同时具备低损耗和高可靠性。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 耐压:650V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.19Ω (25°C)
    - 输入电容(Ciss):2322pF
    - 输出电容(Coss):105pF
    - 反向转移电容(Crss):-4pF
    - 总栅极电荷(Qg):71~106nC
    - 饱和电流(ID):25A (10V, 25°C)

    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):650V
    - 漏源连续电流(ID):25A (25°C),13A (100°C)
    - 峰值漏源电流(IDM):60A
    - 最大功率耗散(PD):208W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C

    - 热阻参数:
    - 结壳热阻(RthJC):0.5°C/W
    - 结温到环境热阻(RthJA):62°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗:通过减少trr、Qrr 和 IRRM,降低了反向恢复时间和电荷,从而实现低开关损耗。
    - 高效率:低RDS(on)、低Ciss 和超低栅极电荷(Qg),保证了在高频开关应用中的高效性。
    - 可靠性:高重复脉冲能量(EAS),提高了可靠性,能够在极端条件下稳定工作。
    - 适应性强:宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),适用于多种严苛环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电信和服务器电源供应:在电源转换中提供高效的电力转换,减少能源损耗。
    - 照明系统:如高密度放电灯(HID)和荧光灯镇流器,在提升照明效果的同时降低功耗。
    - 可再生能源:太阳能光伏逆变器中,提高转换效率,延长设备寿命。
    - 工业应用:在焊接设备和电池充电器中,保证设备稳定运行并提高工作效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,建议适当增加散热措施,以保持器件正常工作。
    - 选择合适的驱动电路和外围器件,以确保MOSFET的最优性能。
    - 定期检查连接点,确保良好的电气接触和散热效果。

    5. 兼容性和支持


    K20D60U-VB 与常见的标准SMPS设计兼容,可以直接替换传统MOSFET。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括应用指南和售后服务。如果您有任何疑问或需要技术支持,可通过服务热线(400-655-8788)联系我们的技术团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:在高温下工作时性能下降?
    - 解决方案:增加散热措施,如安装散热片或风扇,改善热管理。
    - 问题:出现过热保护?
    - 解决方案:检查电路设计,确保负载分配均匀;若有必要,减小负载。
    - 问题:驱动信号不稳定?
    - 解决方案:使用屏蔽线缆,避免外部干扰;确认驱动器输出频率符合要求。

    7. 总结和推荐


    K20D60U-VB 作为一款高性能的N沟道超级结MOSFET,凭借其出色的性能和可靠性,在高功率和高频应用中表现出色。其低损耗、高效率和宽温工作范围等特点,使其在多种应用场合中成为理想的选择。我们强烈推荐此产品用于各种电源转换和控制应用中。
    如需进一步了解产品详情和技术资料,请访问我们的官方网站 www.VBsemi.com。

K20D60U-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K20D60U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K20D60U-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K20D60U-VB K20D60U-VB数据手册

K20D60U-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 116.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831