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K801-Z-E1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: K801-Z-E1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K801-Z-E1-VB

K801-Z-E1-VB概述

    K801-Z-E1 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K801-Z-E1 是一款 N 沟道 30V (D-S) 功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 技术制造。该器件主要用于服务器、OR-ing 和直流-直流转换器等领域,提供低导通电阻和高可靠性。它符合 RoHS 规范,确保无铅化生产和环保要求。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏源电压 | VDS | 30 V |
    | 持续漏极电流(TJ = 175°C) | ID 8 A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 200 A |
    | 反复冲击电流 | IAS | 39 A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 94.8 mJ |
    | 静态导通电阻 | RDS(on) 0.007(VGS = 10 V, ID = 21.8 A) Ω |
    | 输入电容 | Ciss 2201 pF |
    | 输出电容 | Coss | 525 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 370 pF |
    | 总栅电荷 | Qg | 35 | 45 nC |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | 32 40 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:采用了先进的沟槽场效应技术,提高了导通电阻和开关速度。
    2. 高可靠性:所有器件均经过100% Rg和UIS测试,确保在极端条件下的稳定性。
    3. 符合 RoHS:完全符合欧盟 RoHS 规定,无铅化生产,环保可靠。
    4. 宽泛的工作温度范围:从-55°C到175°C,适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    1. OR-ing 电路:在电源冗余设计中,可以有效防止逆流和反压损坏。
    2. 服务器:为服务器提供高效的电力管理,降低功耗和发热。
    3. 直流-直流转换器:用于电压转换,提高效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要考虑热管理和散热措施。
    - 确保电源电压稳定,避免超过最大额定值,以防过压损坏。
    - 为防止电磁干扰,合理布线和接地设计是必要的。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 TO-252 封装的器件兼容,易于替换和升级。
    - 支持:VBsemi 提供详尽的技术支持和客户服务,确保用户能够快速解决问题并获得所需帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超出范围导致性能下降。
    - 解决办法:增加散热措施,如使用散热片或风扇。
    2. 问题:功率损耗过高,器件过热。
    - 解决办法:检查电路设计,确保适当的电流和电压限制,使用合适的散热方案。
    3. 问题:长时间使用后器件失效。
    - 解决办法:定期检查并更换老化器件,遵循推荐的维护和更换周期。

    总结和推荐


    K801-Z-E1 N 沟道 MOSFET 具有出色的性能和可靠性,适用于多种工业和消费电子应用。其独特的 TrenchFET® 技术提供了卓越的性能和高效性,适用于电源管理、服务器和直流-直流转换器等领域。VBsemi 提供全面的技术支持和客户服务,确保用户获得最佳的使用体验。强烈推荐使用 K801-Z-E1,以实现高效、可靠的电力管理解决方案。

K801-Z-E1-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K801-Z-E1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K801-Z-E1-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K801-Z-E1-VB K801-Z-E1-VB数据手册

K801-Z-E1-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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