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2SK2199-TL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,4A,RDS(ON),800mΩ@10V,960mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.5Vth(V);TO252
供应商型号: 2SK2199-TL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2199-TL-E-VB

2SK2199-TL-E-VB概述

    # 2SK2199-TL-E Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    2SK2199-TL-E 是一款高性能的N通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和驱动电路的应用场景。它的设计使得在高频率和高温环境下也能稳定运行,广泛应用于电源管理、电机驱动、照明控制等领域。
    主要功能
    - 动态 dV/dt 额定值
    - 可重复雪崩额定值
    - 快速开关能力
    - 易于并联操作
    应用领域
    - 电源转换器
    - 矩阵变换器
    - 驱动电机和其他电气负载

    2. 技术参数


    以下是2SK2199-TL-E的技术参数列表:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | 250 250 | V |
    | 栅极-源极电压 | ±20 V |
    | 连续漏极电流(TC=25°C) | 4.5 A |
    | 脉冲漏极电流 | 16 A |
    | 最大功率耗散(TC=25°C) | 45 W |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | 130 mJ |
    | 反复雪崩电流 | 4.5 A |
    | 反复雪崩能量 | 5.2 mJ |
    | 源极-漏极导通电阻 | 0.64 Ω |
    | 总栅极电荷 14 nC |

    3. 产品特点和优势


    - 动态 dV/dt 额定值:允许在高开关频率下可靠运行。
    - 可重复雪崩额定值:提高耐久性和可靠性。
    - 快速开关:减少损耗,提高效率。
    - 易于并联操作:便于实现高电流应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK2199-TL-E 常用于高频率开关电源应用,如数据中心电源、电动机控制器和汽车电源系统。
    使用建议
    - 散热设计:确保良好的热管理,特别是安装在印刷电路板上时,应考虑散热片和散热路径。
    - 驱动电路:选择适当的栅极驱动电阻,以防止振铃和电磁干扰。
    - 布局优化:尽量减少寄生电感,增加接地平面面积,以减少噪声干扰。

    5. 兼容性和支持


    2SK2199-TL-E 支持标准的 TO-252 封装,易于集成到现有的电路设计中。厂商提供详细的技术支持,包括热管理建议、封装指南和应用电路示例。

    6. 常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的温度导致器件失效
    - 解决办法:增加散热措施,如加装散热片或优化 PCB 布局。

    - 问题:开关速度不足
    - 解决办法:减小栅极驱动电阻,确保合适的驱动电压和电流。

    - 问题:栅极震荡
    - 解决办法:添加栅极电阻和电容,减小寄生电感,优化电路布局。

    7. 总结和推荐


    2SK2199-TL-E 作为一款高性能的功率 MOSFET,在许多高要求的应用场景中表现出色。它具有出色的动态 dV/dt 额定值和快速开关特性,能够满足严苛的工业和汽车应用需求。强烈推荐给需要高效、高可靠性电力转换解决方案的设计者和工程师们。

2SK2199-TL-E-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 800mΩ@10V,960mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 250V
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SK2199-TL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK2199-TL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2199-TL-E-VB 2SK2199-TL-E-VB数据手册

2SK2199-TL-E-VB封装设计

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2500+ ¥ 2.3759
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