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IRF9953TRP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: IRF9953TRP-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF9953TRP-VB

IRF9953TRP-VB概述

    # IRF9953TRP Dual P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF9953TRP是一款双通道P沟道30V(D-S)MOSFET,采用TrenchFET®功率MOSFET技术制造。它适用于负载开关等多种应用场景。此器件已通过100%UIS测试,确保在恶劣环境下也能可靠工作。IRF9953TRP具有无卤素的特点,符合RoHS标准。

    技术参数


    基本参数
    - 漏源电压:\( V{DS} \leq 30 \text{V} \)
    - 栅源电压:\( V{GS} = \pm 20 \text{V} \)
    - 最大连续漏极电流:\( ID \leq -7.3 \text{A} \)(\( TA = 25^{\circ}\text{C} \))
    - 最大脉冲漏极电流:\( I{DM} \leq -32 \text{A} \)
    - 最高工作温度:\( TJ, T{STG} = -55 \sim 150^{\circ}\text{C} \)
    静态参数
    - 漏源击穿电压:\( V{DS} \geq 30 \text{V} \)
    - 栅源阈值电压:\( V{GS(th)} = -1.0 \sim -3.0 \text{V} \)
    - 零栅源电压漏极电流:\( I{DSS} \leq -1 \mu\text{A} \)
    动态参数
    - 输入电容:\( C{iss} \leq 1350 \text{pF} \)
    - 输出电容:\( C{oss} \leq 215 \text{pF} \)
    - 反向传输电容:\( C{rss} \leq 185 \text{pF} \)
    - 总栅极电荷:\( Qg \leq 32 \text{nC} \)
    热参数
    - 最大结到环境热阻:\( R{thJA} \leq 38^{\circ}\text{C/W} \)
    - 最大结到脚热阻:\( R{thJF} \leq 20^{\circ}\text{C/W} \)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:通过100%UIS测试,确保在极限条件下也能稳定运行。
    2. 低导通电阻:漏源导通电阻最小为0.029Ω(\( V{GS} = -10 \text{V} \)),最大为0.039Ω(\( V{GS} = -4.5 \text{V} \))。
    3. 快速开关:上升时间和下降时间均在纳秒级别,适合高速应用。
    4. 无卤素设计:符合RoHS标准,环保安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF9953TRP适用于多种应用场景,如负载开关。例如,在电源管理中作为高边开关,能够有效地控制电路中的电流流动。
    使用建议
    - 在选择驱动器时,确保驱动能力能够满足最大脉冲漏极电流的需求。
    - 考虑散热设计,避免因过热导致的性能下降或损坏。
    - 确保电路布局合理,以减少寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    IRF9953TRP与常见的SO-8封装兼容,便于集成。制造商提供全面的技术支持,包括数据表、应用笔记和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确焊接IRF9953TRP?
    - 解决方案:确保焊点牢固,避免虚焊。使用适当的助焊剂和焊接工具,保证焊接质量。
    2. 问题:如何处理过高的漏极电流?
    - 解决方案:增加散热措施,如加装散热片或风扇,或者减小工作负载。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF9953TRP具有高可靠性、低导通电阻和快速开关等优点,非常适合用于高边开关和负载开关的应用场合。其无卤素设计和RoHS合规使其成为环保和安全要求高的应用的理想选择。
    推荐使用
    综上所述,IRF9953TRP是一款性能卓越、用途广泛的电子元器件,强烈推荐给需要高性能MOSFET的应用场景。

IRF9953TRP-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF9953TRP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF9953TRP-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF9953TRP-VB IRF9953TRP-VB数据手册

IRF9953TRP-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.4911
4000+ ¥ 1.4262
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