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2SK4091-ZK-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: 2SK4091-ZK-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK4091-ZK-VB

2SK4091-ZK-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 2SK4091-ZK

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种适用于多种应用场景的高性能电子元件。它采用TrenchFET®技术,属于功率MOSFET类别。这款MOSFET具备卓越的性能参数,如低导通电阻和高电流容量,使其广泛应用于电源管理、服务器、DC/DC转换等领域。

    技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术规格:
    - 基本参数
    - 漏源电压 \(V{DS}\):30V
    - 门源阈值电压 \(V{GS(th)}\):1.5~2.0V
    - 零栅压漏电流 \(I{DSS}\):1µA @ \(V{DS} = 30\)V, \(V{GS} = 0\)V
    - 最大连续漏电流 \(ID\):25°C时为8A;70°C时为1A
    - 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\):200A
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\):52~78ns @ \(IF = 20\)A, \(di/dt = 100\)A/µs, \(TJ = 25\)°C
    - 热特性
    - 最大结至环境热阻 \(R{thJA}\):32°C/W(最高)
    - 最大结至壳热阻 \(R{thJC}\):0.5°C/W
    - 电容特性
    - 输入电容 \(C{iss}\):2201pF @ \(V{DS} = 15\)V, \(V{GS} = 0\)V, \(f = 1\)MHz
    - 输出电容 \(C{oss}\):525pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\):370pF
    - 动态特性
    - 总栅极电荷 \(Qg\):35~45nC @ \(V{DS} = 15\)V, \(V{GS} = 10\)V, \(ID = 21.8\)A
    - 上升时间 \(tr\):11~17ns
    - 关断延迟时间 \(t{d(off)}\):70~105ns

    产品特点和优势


    1. 高效能: 低导通电阻(\(R{DS(on)}\))和高耐压能力,确保了出色的开关性能和效率。
    2. 坚固耐用: 所有的组件经过严格的测试,包括100%的Rg和UIS测试,保证产品的可靠性和稳定性。
    3. 环保认证: 符合RoHS标准,确保无有害物质使用,适用于各种绿色环保的应用场景。

    应用案例和使用建议


    此MOSFET常用于电源管理(例如OR-ing电路)、服务器及DC/DC转换系统中。使用建议包括:
    - 在高温环境下,需要特别关注散热,以防止过热导致性能下降。
    - 使用时要注意门极驱动信号的质量,以确保可靠的开关操作。
    - 考虑到其高的脉冲漏电流,需在设计时注意保护电路的稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET采用TO-252封装,便于安装在印刷电路板上。
    - 支持和服务: 可通过服务热线400-655-8788获取技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确测量温度系数?
    - A: 确保在规定的测试条件下进行测量,参考技术手册中的标准测试条件。
    - Q: 产品是否会受到电磁干扰影响?
    - A: 在设计时添加适当的滤波措施和屏蔽可以有效减少电磁干扰的影响。


    总结和推荐


    总体来说,N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 2SK4091-ZK 是一款优秀的功率MOSFET,其卓越的性能和广泛的适用范围使其成为众多应用的理想选择。尤其是对于需要高效开关和良好稳定性的应用场合,强烈推荐使用此产品。

2SK4091-ZK-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 70A
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2SK4091-ZK-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK4091-ZK-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK4091-ZK-VB 2SK4091-ZK-VB数据手册

2SK4091-ZK-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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