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2N65L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 2N65L-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N65L-TF3-T-VB

2N65L-TF3-T-VB概述

    N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET: 2N65L-TF3-T-VB

    产品简介


    2N65L-TF3-T-VB是一款N沟道650V功率MOSFET,适用于各种高电压、大电流的应用场合。它以其低栅极电荷、增强的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性而闻名。这款MOSFET由VBsemi公司生产,完全符合RoHS指令2002/95/EC,适用于工业控制、电源转换、逆变器等多种应用场景。

    技术参数


    以下是2N65L-TF3-T-VB的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IDSS 25 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 4.0 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 1000 pF |
    | 输出电容 | Coss 45 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 5 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 11 nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | 2.3 nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | 5.2 nC |
    | 转换时间延迟 | td(on) | 1 4 | ns |
    | 上升时间 | tr 20 ns |
    | 关断延时时间 | td(off) 34 ns |
    | 下降时间 | tf 18 ns |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:低Qg(总栅极电荷)导致简单的驱动需求。
    - 增强的坚固性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。
    - 完全特征化:包含完全的电容和雪崩电压电流特性。
    - RoHS合规:符合RoHS 2002/95/EC指令。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于高电压大电流的电源转换和逆变器系统中。例如,在光伏逆变器系统中,它能够承受高电压并实现高效的电能转换。为了提高系统效率和稳定性,建议在电路设计中采用低阻抗的栅极驱动电路,并注意散热管理以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    2N65L-TF3-T-VB适用于各种需要高电压、大电流的场景,并且具有良好的兼容性。制造商提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够有效地使用该产品。此外,公司还提供了热管理和电气特性方面的技术支持,以帮助用户在复杂的应用环境中更好地部署该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在高温环境下使用该MOSFET时,可能出现的温度过高问题如何解决?
    答:可以通过优化散热设计,如增加散热片或使用水冷等方式,来降低设备的工作温度,确保其在安全的工作范围内运行。
    2. 问:在瞬态电流冲击下,MOSFET可能出现过载损坏怎么办?
    答:建议在电路设计中添加适当的保护措施,如设置限流电阻或安装瞬态电压抑制器,以防止过大的瞬态电流对MOSFET造成损害。

    总结和推荐


    综上所述,2N65L-TF3-T-VB是一款性能优异、可靠性高的N沟道650V功率MOSFET,非常适合用于高电压、大电流的工业应用场合。它的低栅极电荷、增强的坚固性和完善的特性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐此款MOSFET给寻求高效、可靠解决方案的用户。

2N65L-TF3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Id-连续漏极电流 2A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2N65L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N65L-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N65L-TF3-T-VB 2N65L-TF3-T-VB数据手册

2N65L-TF3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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