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JCS730R-O-R-N-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: JCS730R-O-R-N-A-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS730R-O-R-N-A-VB

JCS730R-O-R-N-A-VB概述

    JCS730R-O-R-N-A 4VQFS+VODUJPO Power MOSFET

    1. 产品简介


    JCS730R-O-R-N-A 是一款高性能的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),以其卓越的性能和多功能的应用领域在行业中脱颖而出。该器件适用于多种高功率转换场合,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、高强度放电灯(HID)照明及荧光灯镇流器等领域。它的核心特点包括低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和超低栅极电荷(Qg),这些都使其成为高效能功率转换应用的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 0.70 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 16 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 12 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 45 | nC |
    | 重复脉冲最大输出电流 (IDM) | 10 | A |
    | 绝对最大工作温度 (TJ) | 150 | °C |
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS) | 650 V
    - 栅源电压 (VGS) | ±30 V
    - 持续漏极电流 (TJ=150 °C) | 10 V 时为 8 A
    - 脉冲漏极电流 | 100 A
    - 最大耗散功率 (PD) | 100 W
    - 工作结温范围 (TJ, Tstg) | -55 到 +150 °C

    3. 产品特点和优势


    JCS730R-O-R-N-A 的显著特点包括:
    - 低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),大大降低了传导和开关损耗,提高了效率。
    - 低输入电容(Ciss),降低了驱动器的负担,减少了门极充电时间。
    - 高能效转换,支持在广泛的温度范围内保持稳定的性能。
    - 独特的封装设计提供了更好的散热性能和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    JCS730R-O-R-N-A 广泛应用于多种电力系统中,例如:
    - 服务器和电信电源:利用其高耐压能力和低损耗特性,在复杂供电系统中表现优异。
    - 开关模式电源(SMPS):适合需要高效能、低损耗转换的应用。
    - 工业设备:可用于各种工业级应用,包括电机控制、电源供应等领域。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意确保散热设计以避免过热。
    - 使用适当的驱动电路以减少栅极电荷引起的干扰。

    5. 兼容性和支持


    JCS730R-O-R-N-A 与标准的电源管理系统高度兼容,易于集成到现有系统中。公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和测试报告,帮助客户快速实现产品应用。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温下器件性能下降 | 使用有效的散热措施,如外部散热器。 |
    | 开关频率过高导致损耗增加 | 优化驱动电路,降低开关频率或增加电容。 |
    | 过高的漏极电流导致损坏 | 确保负载不超过器件的最大额定值。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,JCS730R-O-R-N-A 是一款高性能、低损耗、广泛应用的N沟道MOSFET,尤其适合高要求的电力系统和工业应用。它具备出色的性能指标和稳定的工作特性,是众多工程师的优选方案。强烈推荐在高可靠性和高性能要求的项目中采用此产品。若需进一步技术支持,请联系VBsemi客户服务热线:400-655-8788。

JCS730R-O-R-N-A-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

JCS730R-O-R-N-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS730R-O-R-N-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS730R-O-R-N-A-VB JCS730R-O-R-N-A-VB数据手册

JCS730R-O-R-N-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
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