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NP109N055PUJ-E2B-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,210A,RDS(ON),3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.9Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: NP109N055PUJ-E2B-AY-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP109N055PUJ-E2B-AY-VB

NP109N055PUJ-E2B-AY-VB概述

    NP109N055PUJ-E2B-AY:60V N-Channel MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    NP109N055PUJ-E2B-AY是一款高性能的60V N-Channel(漏源电压为60V)沟槽型功率MOSFET(TrenchFET®)。其设计适用于高可靠性要求的应用场合,如工业控制、电源管理等领域。此产品的主要特点是低热阻、高可靠性和广泛的温度适应能力,确保在复杂的工作环境中稳定运行。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) | - | - | 60 | V |
    | 门限电压(VGS(th)) | 2.0 | 4.0 | - | V |
    | 零门限电压漏极电流(IDSS) | - | - | 1.0 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) (VGS=10V) | - | 0.0028 | - | Ω |
    | 导通电阻(RDS(on)) (VGS=4.5V)| - | 0.012 | - | Ω |
    | 连续漏极电流(ID) | 210 | - | - | A |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | - | - | 480 | A |
    | 热阻率(RthJA) | - | 40 | - | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    NP109N055PUJ-E2B-AY的优势在于其采用的TrenchFET®技术,提供出色的导通电阻和低热阻特性,使其在高频开关应用中表现卓越。此外,该器件符合RoHS和卤素自由要求,进一步提升了其在环保方面的合规性。这些特点使其成为工业控制、通信电源、消费电子等多个领域的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:NP109N055PUJ-E2B-AY常用于直流电机驱动、直流变换器、电源开关等场景,以提高系统的效率和稳定性。例如,在电源管理模块中,该MOSFET可有效减少导通损耗,从而提升整体效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应充分考虑MOSFET的工作条件,尤其是温度和电流限制。
    - 确保电路板散热设计合理,避免因过热导致器件损坏。
    - 注意控制脉冲宽度和占空比,防止超负荷运行。

    5. 兼容性和支持


    NP109N055PUJ-E2B-AY采用D2PAK封装,具有低热阻特性,易于与其他标准组件集成。VBsemi公司为其提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温报警 | 检查散热设计并优化冷却方案 |
    | 性能下降 | 重新检查电路板布局及元件选型 |
    | 不正常关断 | 调整栅极电阻和驱动信号参数 |

    7. 总结和推荐


    NP109N055PUJ-E2B-AY以其出色的导电性能和高可靠性成为一款值得信赖的MOSFET产品。特别是在高温环境下表现优异,特别适合需要高效能、长寿命的应用场合。综上所述,我们强烈推荐此款产品作为工业控制和电源管理领域的优选方案。

NP109N055PUJ-E2B-AY-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@10V,12.5mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 210A
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP109N055PUJ-E2B-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP109N055PUJ-E2B-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP109N055PUJ-E2B-AY-VB NP109N055PUJ-E2B-AY-VB数据手册

NP109N055PUJ-E2B-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
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