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UT3N01ZG-AE2-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: UT3N01ZG-AE2-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3N01ZG-AE2-R-VB

UT3N01ZG-AE2-R-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的电子元器件,主要应用于逻辑电平接口(如TTL/CMOS)以及驱动各种设备(如继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等)。它还特别适用于电池供电系统和固态继电器。这款MOSFET具备低输入电容、快速开关速度等优点,广泛应用于需要高可靠性、高效能和低功耗的场合。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):60 V
    - 阈值电压 (VGS(th)):1 V 至 2.5 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 时为 2.8 Ω;在 VGS = 4.5 V 时为 3.1 Ω
    - 连续漏电流 (ID):在 TA = 25 °C 时为 250 mA;在 TA = 100 °C 时为 150 mA
    - 脉冲漏电流 (IDM):800 mA
    - 最大功耗 (PD):在 TA = 25 °C 时为 0.30 W;在 TA = 100 °C 时为 0.13 W
    - 热阻 (RthJA):350 °C/W
    - 最大结温至环境温度的最大热阻 (RthJA):350 °C/W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 150 °C

    产品特点和优势


    1. 低阈值电压 (VGS(th)):保证了在较低电压下也能正常工作。
    2. 低输入电容 (Ciss):低至 25 pF,有助于提高信号处理速度。
    3. 快速开关速度 (td(on), td(off)):开关时间分别为 20 ns 和 30 ns,适用于高频应用。
    4. 低输入和输出泄漏电流:降低了信号失真风险,提高了系统的可靠性和稳定性。
    5. 符合RoHS标准:满足环保要求,符合欧盟及其他地区的相关法规。

    应用案例和使用建议


    这款N-Channel 60-V MOSFET在多种应用场景中表现出色。例如,在电池供电系统中,它能够提供高效的能量转换,延长电池寿命。在固态继电器中,它能够实现高速开关,减少能耗。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保所有组件的额定值匹配,避免过载情况发生。
    - 注意散热设计,特别是当工作在高温环境下时,以保持良好的性能和寿命。
    - 对于高频应用,确保信号线路尽量短,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    该产品支持表面贴装技术(SMT),适用于FR4板材。厂商提供了详尽的技术支持文档,包括安装指南、电气特性测试方法和常见问题解答。通过官方服务热线400-655-8788,可以获取进一步的技术咨询和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高频操作下,MOSFET发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或者采用更好的散热材料,如导热硅脂,以增强散热效果。
    2. 问题:在高温环境下工作时,MOSFET出现故障。
    - 解决方案:检查电路板的布局,确保良好的气流和散热设计,避免热点集中区域。
    3. 问题:电路中的噪音较大。
    - 解决方案:检查电源滤波电路的设计,使用更高级别的电容和滤波器,以减少电源噪声。

    总结和推荐


    这款N-Channel 60-V MOSFET具有优异的性能,特别是在低功耗和高频应用方面表现突出。其低阈值电压、低输入电容和快速开关速度使其成为多种电子系统设计的理想选择。总体而言,这是一款性能卓越、应用广泛的电子元器件,非常适合各种工业和消费电子产品。强烈推荐给需要高性能MOSFET的应用工程师和设计师。

UT3N01ZG-AE2-R-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 300mA
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3N01ZG-AE2-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3N01ZG-AE2-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3N01ZG-AE2-R-VB UT3N01ZG-AE2-R-VB数据手册

UT3N01ZG-AE2-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
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