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2SK3479-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: 2SK3479-Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK3479-Z-VB

2SK3479-Z-VB概述

    # 2SK3479-Z-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    2SK3479-Z-VB 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的高性能N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有100伏特的最大漏源电压,能够在高达175摄氏度的环境下稳定工作。这款MOSFET 采用TrenchFET®技术,具有高可靠性和低导通电阻,适用于广泛的电力电子应用领域。

    技术参数


    以下是2SK3479-Z-VB的关键技术规格:
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 门源电压(VGS):±20V
    - 最大连续漏极电流(ID):100A(在125°C时)
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):280mJ
    - 最大耗散功率(PD):250W(在自由空气环境下)
    - 绝对最大额定温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻抗(RthJA):62.5°C/W(在自由空气环境中)
    - 热阻抗(RthJC):0.6°C/W(漏电至外壳)

    产品特点和优势


    唯一功能与优势
    1. TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽栅极技术,提供更低的导通电阻(RDS(on)),从而实现更高的效率。
    2. 高温稳定性:能够在最高175摄氏度的工作温度下稳定运行,适合于恶劣环境下的应用。
    3. RoHS合规性:符合欧盟RoHS指令要求,环保安全。
    市场竞争力
    该产品具有优异的热稳定性和低损耗特性,在电力转换、电池管理、电机控制等多个领域有着广泛应用。特别是在需要高温稳定性的工业和汽车电子领域表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK3479-Z-VB 可广泛应用于多种电力电子设备,例如开关电源、直流电机驱动器、电池管理系统等。这些应用对其高效能、高可靠性及宽温工作范围有严格的要求。
    使用建议
    1. 散热设计:由于其较高的功耗,必须设计良好的散热系统以确保长期稳定工作。
    2. 电压与电流限制:在应用过程中注意不要超过规定的绝对最大额定值,特别是要确保漏源电压(VDS)和门源电压(VGS)不超过其极限。
    3. 测试与验证:在正式使用前,进行详细的性能测试和验证,确保其符合特定应用需求。

    兼容性和支持


    兼容性
    该产品与其他标准的TO-220封装MOSFET互换性良好,适用于多种通用电路板设计。其兼容性使得安装与替换变得更加简便。
    支持
    台湾VBsemi公司为用户提供详细的技术文档和客户支持服务,包括安装指南、应用笔记和技术咨询。通过客户服务热线400-655-8788,用户可以获取全面的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决办法
    1. 发热过快
    - 解决办法:确保散热片正确安装,并考虑增加额外的散热措施。
    2. 漏电流过高
    - 解决办法:检查门极驱动信号,确认无误后检查是否存在焊接不良等问题。
    3. 工作温度异常
    - 解决办法:检查周围环境温度是否超出正常范围,并采取适当降温措施。

    总结和推荐


    综合评估
    2SK3479-Z-VB 在高温稳定性、低导通电阻和高可靠性的表现上均十分出色,尤其适合在严苛环境中工作的应用场合。其具备卓越的性能和广泛的适用性,使得该产品成为电力电子领域的理想选择。
    推荐
    我们强烈推荐2SK3479-Z-VB MOSFET用于各种工业控制和汽车电子领域。如果您需要一种在高温和高压环境下仍能保持高性能和长寿命的产品,这款MOSFET无疑是您的最佳选择。

2SK3479-Z-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK3479-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK3479-Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK3479-Z-VB 2SK3479-Z-VB数据手册

2SK3479-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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型号 价格(含增值税)
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