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FB4410Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220适用于需要高电压耐受能力、低导通电阻和稳定性的领域和模块,如电源模块、电动汽车电机控制、工业驱动器和光伏逆变器等。
供应商型号: FB4410Z-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FB4410Z-VB

FB4410Z-VB概述

    FB4410Z-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FB4410Z-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 100-V(D-S)MOSFET。这款器件具备高可靠性,适用于多种工业和消费电子产品中。其独特的TrenchFET® Power MOSFET架构使其在高压和高温环境下仍能保持高性能表现。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 100 | V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 V |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS ± 100 | nA |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | 1 mA |
    | 导通状态下漏极电流 | ID(on) 120 | A |
    | 导通状态下漏源电阻 | RDS(on) 0.009 | 0.030 | Ω |
    | 前向传输电导 | gfs 25 S |
    | 输入电容 | Ciss 4700 pF |
    | 输出电容 | Coss 665 pF |
    | 反向传输电容 | Crss 265 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 105 | 160 nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs 17 nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd 23 nC |
    | 开启延时时间 | td(on) | 12 | 25 µs |
    | 上升时间 | tr | 90 | 135 µs |
    | 关闭延时时间 | td(off) | 55 | 85 µs |
    | 下降时间 | tf | 130 | 195 µs |

    3. 产品特点和优势


    - 高温性能:最大结温可达175°C,适合高温环境应用。
    - 环保材料:符合RoHS指令要求,绿色环保。
    - 低导通电阻:RDS(on)在10V栅源电压下的典型值为0.009Ω,保证了低功耗和高效能。
    - 高可靠性和稳定性:采用TrenchFET® Power MOSFET架构,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    FB4410Z-VB MOSFET广泛应用于开关电源、马达控制、电池管理等领域。以下是几个典型的使用案例和建议:
    - 开关电源:在DC-DC转换器中作为主开关器件,由于其高效的低RDS(on),可以显著减少发热并提高转换效率。
    - 马达控制:适用于各类电机驱动电路,其高耐压能力和高可靠性确保了电机系统的稳定运行。
    - 电池管理系统:用于电池充放电管理,特别是电动汽车和储能系统中,其高可靠性和长寿命特性使其成为优选方案。
    使用建议:
    - 在高频率工作条件下,应确保电路板设计充分散热以避免过热。
    - 为了进一步提高可靠性,建议使用适当的栅极电阻和退耦电容来改善栅极驱动信号的质量。

    5. 兼容性和支持


    FB4410Z-VB MOSFET与其他标准封装(如TO-220AB)的元件兼容,便于替换现有系统中的其他品牌器件。VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术咨询、样品申请和技术培训等。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:开机瞬间过冲电压过高。
    解决办法:增加栅极电阻,减缓门极信号上升速度,防止过冲。
    - 问题:长时间工作后温度过高。
    解决办法:加强散热措施,例如使用散热片或散热风扇。
    - 问题:输出电流不稳定。
    解决办法:检查电路连接,确保所有接点接触良好,并适当调整负载。

    7. 总结和推荐


    FB4410Z-VB N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 是一款高可靠性、高性能的功率器件,特别适用于需要高温稳定性的工业和汽车应用。其低导通电阻和宽工作温度范围使其成为市场上同类产品中的佼佼者。我们强烈推荐在各种严苛条件的应用环境中使用此产品。

FB4410Z-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,20mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FB4410Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FB4410Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FB4410Z-VB FB4410Z-VB数据手册

FB4410Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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