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4559W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N+P沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8可用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备领域。
供应商型号: 4559W-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4559W-VB

4559W-VB概述

    N-Channel和P-Channel 60V (D-S) MOSFET技术手册

    1. 产品简介


    本手册介绍了N-Channel和P-Channel 60V (D-S) MOSFET,这是一种具有高可靠性的电场效应晶体管(Field Effect Transistor),广泛应用于逆变器(CCFL Inverter)等领域。这种MOSFET采用先进的沟槽结构(TrenchFET®),具备出色的开关特性和低导通电阻,能够满足多种应用需求。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):60 V
    - 门源电压 \( V{GS} \):±20 V
    - 最大连续漏极电流(\( TJ = 150^{\circ} \text{C} \)):
    - \( N-Channel \):5.3 A(\( TC = 25^{\circ} \text{C} \)),4.3 A(\( TC = 70^{\circ} \text{C} \))
    - \( P-Channel \):-4.9 A(\( TC = 25^{\circ} \text{C} \)),-4.2 A(\( TC = 70^{\circ} \text{C} \))

    - 静态特性:
    - 开启电压 \( V{GS(th)} \):
    - \( N-Channel \):1 V 到 3 V
    - \( P-Channel \):-1 V 到 -3 V
    - 零门电压漏极电流 \( I{DSS} \):
    - \( N-Channel \):1 μA @ \( V{DS} = 60 \text{V} \),\( TJ = 55^{\circ} \text{C} \)
    - \( P-Channel \):-1 μA @ \( V{DS} = -60 \text{V} \),\( TJ = 55^{\circ} \text{C} \)
    - 动态特性:
    - 总门电荷 \( Qg \):
    - \( N-Channel \):13 nC 到 20 nC
    - \( P-Channel \):14.5 nC 到 22 nC
    - 反向恢复时间 \( t{rr} \):
    - \( N-Channel \):30 ns 到 60 ns
    - \( P-Channel \):30 ns 到 50 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:\( N-Channel \) 的 \( R{DS(on)} \) 为 0.026 Ω @ \( V{GS} = 10 \text{V} \),\( P-Channel \) 为 0.055 Ω @ \( V{GS} = -10 \text{V} \)。
    - 高效能:具有快速开关速度和低门电荷。
    - 可靠性高:100% 经过 \( Rg \) 和 \( UIS \) 测试。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - \( CCFL Inverter \):该MOSFET适用于逆变器的应用场景,因其低导通电阻和高开关速度有助于提高效率。
    - 电源管理:用于各种电源管理电路中,如开关电源、电池管理系统等。
    - 使用建议:
    - 在选择驱动电阻时,需根据具体应用要求选择合适的驱动电阻值,以保证MOSFET能够高效工作。
    - 在使用过程中需注意散热设计,确保设备在最大功耗条件下不会过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该产品可与多种常见的电路板和组件兼容,但需参考具体的设计手册。

    - 支持:
    - 厂商提供全面的技术支持和维护,包括产品咨询、设计支持和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据具体应用场景和驱动条件选择合适的驱动电阻,建议查阅数据手册中的推荐值。

    - 问题2:在高温环境下工作,MOSFET性能是否会下降?
    - 解决方案:通过散热设计来降低温度影响,例如增加散热片或改善通风条件。

    7. 总结和推荐


    - 总结:这款N-Channel和P-Channel 60V (D-S) MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和可靠性,适合在各种逆变器和其他电源管理应用中使用。
    - 推荐:强烈推荐给需要高效能和可靠性的设计者,尤其适用于电源管理和逆变器应用。
    本手册提供了详细的技术规格和特性,便于工程师进行选型和设计。希望本文能够帮助您更好地理解和使用这些优秀的MOSFET产品。

4559W-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6.5A,5A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.9V
通道数量 -
FET类型 N+P沟道
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4559W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4559W-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4559W-VB 4559W-VB数据手册

4559W-VB封装设计

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