处理中...

首页  >  产品百科  >  D3N80-VB

D3N80-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: D3N80-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) D3N80-VB

D3N80-VB概述


    产品简介


    D3N80 N-Channel MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),专为多种高功率应用设计。它主要应用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、高强度放电灯(HID)照明、荧光灯球照明、焊接设备、感应加热装置、电机驱动器、电池充电器及可再生能源系统如太阳能光伏逆变器等。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 800 | V |
    | 栅源阈值电压(N) | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | - | - | 10 | μA |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 2.4 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 3.9 | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 11 | 22 | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 7 | 14 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - | 19 | 38 | ns |
    | 下降时间 | tf | - | 27 | 54 | ns |
    | 漏源体二极管特性 | - | - | - | - | - |
    | 持续源漏二极管电流 | IS | - | - | 2.8 | A |

    产品特点和优势


    D3N80 N-Channel MOSFET 的主要特点是具有低电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)、低门极电荷(Qg)和重复雪崩能量(EAS)。这些特点使其在提高开关速度的同时减少损耗,适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。此外,其快速开关能力和低导通电阻使其在高功率转换中表现出色,尤其是在服务器和电信电源系统中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源系统:D3N80 MOSFET 在服务器和电信电源系统中用于实现高效功率转换,降低能耗并提升系统的可靠性。
    2. 高功率LED照明:在荧光灯球和高强度放电灯(HID)照明系统中,利用其高效的开关性能和低热损耗实现稳定运行。
    3. 工业设备:在焊接设备、感应加热、电机驱动器、电池充电器和太阳能光伏逆变器中,确保高效、可靠的电力供应。
    使用建议
    - 散热管理:为了确保器件的正常工作和延长使用寿命,需要进行有效的散热设计。可以通过增加散热片或使用散热基板来提高散热效果。
    - 门极驱动电路设计:合理设计门极驱动电路可以避免过高的dv/dt导致的噪声干扰和电磁干扰。门极驱动电阻(Rg)的选择需谨慎,以确保器件能够安全开启和关闭。
    - 布局优化:PCB设计时应注意尽量减少寄生电感,使用大面积接地层,并优化走线布局以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    D3N80 N-Channel MOSFET 与常见的电源管理系统和其他电子设备兼容,且具备出色的电磁兼容性能。制造商提供了详尽的技术支持文档,涵盖安装、测试、调试等方面的指导。此外,客户还可以通过官方网站获得在线支持和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 启动时无法正常工作 | 检查电源电压是否稳定,确保门极驱动信号正确;若存在损坏,需更换新器件 |
    | 过热保护频繁触发 | 确保良好的散热设计,适当调整负载条件以避免长时间满载运行 |

    总结和推荐


    总体而言,D3N80 N-Channel MOSFET 是一款高度集成且性能卓越的产品,非常适合应用于高功率系统中。其优异的电气特性和广泛的适用范围使其成为众多高端应用的理想选择。然而,在实际使用前,务必仔细阅读技术手册并遵循推荐的应用指南,以充分发挥其性能优势。我们强烈推荐此产品给追求高效能、高可靠性的工程师和设计师们。

D3N80-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

D3N80-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

D3N80-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 D3N80-VB D3N80-VB数据手册

D3N80-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.3738
100+ ¥ 4.0499
500+ ¥ 3.7259
2500+ ¥ 3.5639
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 43.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336