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R5207ANDTL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: R5207ANDTL-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) R5207ANDTL-VB

R5207ANDTL-VB概述


    产品简介




    4VQFS+VODUJPO Power MOSFET

    4VQFS+VODUJPO是一款高性能N沟道功率MOSFET,适用于多种高要求的电力转换和控制系统。它的主要功能是作为开关器件,在开关模式电源(SMPS)、服务器和电信电源、功率因数校正电源(PFC)等领域发挥重要作用。此外,它还广泛应用于高强度放电灯(HID)和荧光灯的照明系统及工业设备中。


    技术参数




    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 0.7Ω @ VGS=10V, TJ=25°C
    - 最大漏极电流 (ID): 80°C时为7A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 100A
    - 栅极电荷 (Qg): 最大值为16nC
    - 输入电容 (Ciss): 最大值为1470pF
    - 输出电容 (Coss): 最大值为130pF
    - 热阻 (RthJA): 最大值为63°C/W


    产品特点和优势




    4VQFS+VODUJPO具有以下几个独特的优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在各种温度下保持较低的导通电阻,保证高效能。
    - 低栅极电荷 (Qg): 减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容 (Ciss): 减少驱动电路的功耗。
    - 卓越的热稳定性: 采用先进的封装技术,确保良好的散热性能。

    这些特点使得4VQFS+VODUJPO在电力转换和控制应用中表现出色,尤其适合在高频和高效率环境中使用。


    应用案例和使用建议




    应用案例:
    - 服务器和电信电源: 由于其出色的开关特性和低功耗,适用于这些高可靠性需求的场合。
    - 照明系统: 在高强度放电灯和荧光灯中,能够显著提高灯具的效率和寿命。

    使用建议:
    - 设计优化: 在高频应用中,可以考虑减少外部栅极电阻以进一步降低开关损耗。
    - 散热管理: 建议使用大面积散热片来确保MOSFET的温度不超过最大额定值。


    兼容性和支持




    4VQFS+VODUJPO与大多数标准电源转换拓扑结构兼容,如Buck、Boost和Flyback等。厂商提供详尽的技术支持文档,包括详细的安装指南和测试电路图,帮助客户快速上手。


    常见问题与解决方案




    - 问题1: 高温环境下漏极电流下降
    - 解决方案: 检查并优化散热系统,确保MOSFET的工作温度不超出安全范围。
    - 问题2: 开关频率不稳定
    - 解决方案: 检查栅极驱动信号,确保驱动信号符合MOSFET的要求。


    总结和推荐




    综上所述,4VQFS+VODUJPO是一款高效能、低成本的N沟道功率MOSFET。其卓越的性能、广泛的适用性和优秀的支持服务使其成为电力转换和控制应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和可靠性的场合。

R5207ANDTL-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

R5207ANDTL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

R5207ANDTL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 R5207ANDTL-VB R5207ANDTL-VB数据手册

R5207ANDTL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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型号 价格(含增值税)
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