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K11A45D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K11A45D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K11A45D-VB

K11A45D-VB概述

    K11A45D-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K11A45D-VB 是一款适用于高电压应用的 N 沟道功率 MOSFET,其主要功能包括低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)及快速开关性能。这款 MOSFET 广泛应用于多种领域,如服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)以及工业控制设备。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 1.2 | Ω |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 43 | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | 5 | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | 22 | nC |
    | 最大连续漏极电流 (ID)| 12 | A |
    | 额定脉冲漏极电流 (IDM)| 45 | A |
    | 绝对最大额定值
    | 封装形式 | TO-220 FULLPAK |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻和总栅极电荷:K11A45D-VB 具有出色的低导通电阻(RDS(on))和超低的栅极电荷(Qg),使其具有非常低的功率损耗和高速开关能力。
    - 高可靠性:该 MOSFET 在重复脉冲下的雪崩耐量较高,确保在高电压和高电流应用中的可靠性和稳定性。
    - 应用广泛:适用于多种高功率和高效率的应用场景,特别是在需要低损耗和快速响应的应用中表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:在这些系统中,K11A45D-VB 的低导通电阻和高速开关特性可以有效降低能量损失并提高系统效率。
    - 照明系统:对于高强度放电灯和荧光灯等照明系统,该 MOSFET 可以提供稳定的电流驱动和高效的能量转换。
    - 工业控制:在工业环境中,该 MOSFET 能够承受极端的工作条件,适合用于自动化和控制系统中的电力管理。
    使用建议:
    - 确保正确的 PCB 布局设计,以减少寄生电感,从而进一步提升开关性能。
    - 使用热设计来确保 MOSFET 在高功率工作状态下的温度保持在安全范围内。

    5. 兼容性和支持


    K11A45D-VB 具有标准的 TO-220 FULLPAK 封装,方便集成到现有的电路板设计中。VBsemi 提供详尽的技术支持和客户服务,确保客户能够高效地使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 该 MOSFET 在高温环境下性能如何?
    A: K11A45D-VB 设计了宽广的温度范围(-55°C 至 +150°C),确保其在各种环境条件下均能稳定运行。

    - Q: 如何确定合适的驱动电阻 (Rg) 值?
    A: 参考数据表中的栅极电阻值,通常建议使用 9.1Ω 或更高,以确保可靠的开关性能并减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    K11A45D-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET,具备卓越的导通电阻、低栅极电荷和高可靠性。特别适用于需要高效率和低损耗的应用场合。鉴于其出色的表现和广泛的应用范围,强烈推荐在高电压和高功率系统中采用此款 MOSFET。如有任何疑问,可联系 VBsemi 官方客服获取更多技术支持。

K11A45D-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 12A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K11A45D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K11A45D-VB数据手册

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K11A45D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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