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UM3801-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: UM3801-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UM3801-VB

UM3801-VB概述

    UM3801 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UM3801 是一种 N-Channel 和 P-Channel 30V (D-S) 沟槽式功率 MOSFET(TrenchFET®)。它具有以下基本特性:
    - 无卤素材料,符合 IEC 61249-2-21 定义
    - 全部经过 Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 指令 2002/95/EC
    应用范围广泛,主要包括移动电源、电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    静态参数
    - Drain-Source 突破电压 (VDS):
    - N-Channel: 30V @ VGS = 0V, ID = 250 µA
    - P-Channel: -30V @ VGS = 0V, ID = -250 µA
    - VGS(th) 温度系数:
    - N-Channel: -4.1 mV/°C @ ID = 250 µA
    - P-Channel: 5 mV/°C @ ID = -250 µA
    - 零门极电压漏电流 (IDSS):
    - N-Channel: 1 µA @ VDS = 30V, VGS = 0V
    - P-Channel: -1 µA @ VDS = -30V, VGS = 0V
    动态参数
    - 栅极电荷 (Qg):
    - N-Channel: 6 nC @ VDS = 20V, VGS = 10V, ID = 10A
    - P-Channel: 41.5 nC @ VDS = -20V, VGS = -10V, ID = -10A
    - 导通延迟时间 (td(on)):
    - N-Channel: 4 ns @ VDD = 20V, RL = 3.7Ω, ID ≅ 5.4A, VGEN = 10V, Rg = 1Ω
    - P-Channel: 10 ns @ VDD = -20V, RL = 2Ω, ID ≅ -10A, VGEN = -10V, Rg = 1Ω
    绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150°C):
    - N-Channel: 8A @ TC = 25°C
    - P-Channel: 8A @ TC = 25°C
    - 最大功率耗散:
    - N-Channel: 3.1W @ TC = 25°C
    - P-Channel: 3.2W @ TC = 25°C

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 提高了开关速度和降低导通电阻。
    - 无卤素材料: 符合环保标准,尤其适用于电子产品出口到欧盟国家。
    - 高温特性良好: 能够在高达 150°C 的环境下正常工作,适合各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动: 利用其快速开关特性,减少电机驱动过程中的能量损耗。
    - 移动电源: 通过高效的能量转换和低功耗设计,延长移动电源的使用寿命。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,建议使用低阻抗的栅极驱动器以确保快速响应。
    - 需要良好的散热措施,特别是在高功率应用中。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与现有的 SO-8 封装相兼容,易于替换和升级现有系统。
    - 厂商支持: 提供详尽的技术文档和技术支持,帮助用户快速上手和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一: 高温下运行时功率损耗过高。
    - 解决方案: 使用更高效散热方式,如增加散热片或风扇辅助冷却。
    - 问题二: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 在电路设计中加入适当的缓冲电路,减少寄生电感的影响。

    7. 总结和推荐


    UM3801 MOSFET 作为一款高性能的沟槽式功率 MOSFET,在开关速度、低导通电阻和稳定性方面表现出色。它特别适合应用于电机驱动和移动电源等需要高效率和良好环境适应性的场合。尽管在高功率应用中需要良好的散热管理,但总体而言,UM3801 的性能和可靠性值得推荐。
    如果您正在寻找一种在恶劣环境中稳定工作的高效率功率 MOSFET,UM3801 将是一个不错的选择。

UM3801-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 9A,6A
配置 -
FET类型 N+P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UM3801-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UM3801-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UM3801-VB UM3801-VB数据手册

UM3801-VB封装设计

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