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220N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
供应商型号: 220N-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 220N-VB

220N-VB概述


    产品简介


    本文档介绍的是一种名为“220N”的N沟道功率MOSFET(场效应晶体管),特别适用于电力电子应用。它属于Halogen-free环保材料制成的产品,并符合RoHS指令,保证无铅化。220N具备TrenchFET®专利技术,提供优秀的电气性能,可以广泛应用于直流电源转换、电机控制、LED驱动等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20V
    - 最大栅源电压 (VGS):±12V
    - 连续漏极电流 (ID):在TJ=150°C时为7.1A(在TA=25°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):40A
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):在VDS=20V、VGS=0V时为1µA
    - 导通状态漏极电流 (ID(on)):在VDS≥5V、VGS=4.5V时为20A
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS=4.5V、ID=7.1A时为0.019Ω;在VGS=2.5V、ID=6.0A时为0.026Ω
    - 热阻 (RthJA):62.5°C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)):0.6V~1.5V
    - 总栅电荷 (Qg):9.5nC
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)):10ns
    - 上升时间 (tr):15ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):38ns
    - 下降时间 (tf):25ns

    产品特点和优势


    220N的突出特点是采用了TrenchFET®技术,这使得它在高功率应用中表现出色,具有非常低的导通电阻和良好的温度稳定性。此外,它符合环保标准(RoHS和Halogen-free),并且全部经过100%的栅极电阻测试,确保了产品的质量和可靠性。其出色的耐高温性能和高电流承载能力使其成为高效能电力电子系统设计的理想选择。

    应用案例和使用建议


    在LED驱动电路中,220N可以作为开关组件使用,由于其低RDS(on),可以在保持低损耗的同时实现高效的能量转换。建议在设计时考虑到热管理,尤其是在高功率应用中,以防止过热。另外,在电机控制系统中,它可以有效降低开关损耗,提高整体效率。建议采用适当的散热措施,例如增加散热片或者使用散热胶。

    兼容性和支持


    220N符合SO-8封装标准,适用于表面贴装技术(SMT)。与之兼容的PCB材料为FR4,可以轻松集成到各种现代电子产品中。厂商提供了详细的技术支持,包括数据手册、设计指南和技术咨询热线,帮助客户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热问题
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用适当的散热片或散热膏。

    - 问题2:开关损耗高
    - 解决方案:选用更合适的电路布局,减小线路电感,提高开关频率。

    总结和推荐


    综上所述,220N是一款高性能、高可靠性的N沟道功率MOSFET。它的低导通电阻、快速开关时间和广泛的温度适用范围,使它非常适合在多种电力电子应用中使用。鉴于其环保特性,我们强烈推荐220N用于需要严格遵守RoHS标准的应用场合。

220N-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 8A
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

220N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

220N-VB数据手册

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220N-VB封装设计

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