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2SK2397-01MR-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,5A,RDS(ON),1300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 2SK2397-01MR-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK2397-01MR-VB

2SK2397-01MR-VB概述

    2SK2397-01MR-VB N-Channel 800V (D-S) Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    2SK2397-01MR-VB 是一款高性能的N沟道800V(D-S)超级结功率MOSFET。该器件主要用于需要高电压和大电流的应用场合,广泛应用于电源转换、电机控制、焊接设备等领域。

    技术参数


    - 最大栅源电压 (VGS): ±30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 25°C时:3.9A
    - 100°C时:5A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 21A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 770mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 7.8A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 19mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 190W
    - 峰值二极管恢复dv/dt: 2.0V/ns
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    - 动态dv/dt等级:提高了瞬态响应能力,减少噪声干扰。
    - 重复雪崩等级:增强了电路的可靠性和稳定性。
    - 隔离中央安装孔:方便安装和散热,提高机械稳定性。
    - 快速开关:适用于高频应用,降低损耗。
    - 并联容易:有助于实现高功率应用。
    - 驱动需求简单:简化电路设计,降低成本。
    - 符合RoHS指令:环保材料,确保产品安全无害。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换:在DC-DC转换器和AC-DC整流器中使用,提供高效的电源管理。
    - 电机控制:用于工业电机的高效驱动,降低能耗。
    - 焊接设备:适合于各种焊接设备,提供稳定可靠的电流输出。
    使用建议:
    - 在高频应用中,应注意选择合适的驱动电路以确保快速开关。
    - 在高功率应用中,确保散热系统足够强大,以防止过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于多种电子设备和系统,可与其他主流品牌的MOSFET互换。
    - 支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决在应用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 最大工作温度是多少?
    - A: 最大工作温度为150°C。

    - Q: 如何避免过热?
    - A: 确保良好的散热设计,如增加散热片或使用散热风扇。

    总结和推荐


    2SK2397-01MR-VB是一款性能优异的N沟道800V超级结功率MOSFET,具有出色的动态性能、可靠性及简便的驱动需求。它适用于多种高压大电流应用,特别是在电源管理和电机控制领域表现卓越。总体而言,这款产品具有很高的性价比和市场竞争力,推荐在相关项目中优先选用。
    如果您有任何疑问或需要进一步技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

2SK2397-01MR-VB参数

参数 值
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3Ω@ 10V
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2SK2397-01MR-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

2SK2397-01MR-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK2397-01MR-VB 2SK2397-01MR-VB数据手册

2SK2397-01MR-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
1000+ ¥ 4.9667
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