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K2932-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K2932-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2932-VB

K2932-VB概述

    K2932-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2932-VB 是一款高性能的 N 沟道 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电源管理及控制电路中。这款 MOSFET 具备出色的动态特性和较低的导通电阻,特别适合用于需要高效率和快速开关的应用场合。产品通过无铅认证,符合环保要求。

    技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 零栅源电压漏电流 \( I{DSS} \): 25 μA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.027 Ω(@ \( V{GS} \) = 10 V)
    - 栅极电荷 \( Qg \): 95 nC
    - 电气特性
    - 最大连续漏极电流 \( ID \): 45 A(@ 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 220 A(重复脉冲)
    - 动态 \( dV/dt \) 等级
    - 低热阻抗
    - 最大峰值二极管恢复电压 \( dV/dt \): 4.5 V/ns
    - 工作环境
    - 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 最大接合温度: 175°C
    - 焊接推荐温度: 峰值温度为 300°C,持续时间不超过 10 秒

    产品特点和优势


    - 高电压隔离: 2.5 kVRMS 的高压隔离能力确保了器件的安全性和可靠性。
    - 低热阻: 优秀的热管理能力降低了器件的温升,提高了稳定性和寿命。
    - 快速开关: 动态 \( dV/dt \) 和快速的栅极充电特性使得器件能够适应高速开关需求。
    - 环境友好: 无铅认证符合绿色环保标准。

    应用案例和使用建议


    K2932-VB 可广泛应用于电源转换、电机驱动和逆变器等领域。例如,在 DC-DC 转换器中,可以利用其快速开关特性提高转换效率。
    使用建议:
    1. 散热设计: 考虑到较高的工作温度,应合理设计散热系统,确保长期稳定运行。
    2. 寄生电感控制: 在高频应用中,应尽量减少寄生电感的影响,避免因高频干扰引起的振铃现象。
    3. 测试条件: 进行详细测试时,应严格按照手册提供的测试条件进行,确保准确评估性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K2932-VB 与其他电子元器件具备良好的兼容性,可以方便地集成到现有系统中。
    - 支持: 厂商提供详细的文档和技术支持,确保用户能够在设计和使用过程中得到充分的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗过高
    - 解决办法: 检查驱动电路的设计,优化栅极电阻,以降低开关损耗。
    - 问题2: 温度过高
    - 解决办法: 改进散热设计,增加散热片或采用外部冷却方式。

    总结和推荐


    K2932-VB N-Channel 60V MOSFET 具备出色的性能和广泛的适用性,特别是在需要高可靠性和快速开关的应用中表现出色。我们强烈推荐此产品用于各类电源管理和电机控制系统中。无论是在工业自动化还是消费电子领域,K2932-VB 都是一款值得信赖的选择。

K2932-VB参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 45A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2932-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2932-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2932-VB K2932-VB数据手册

K2932-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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