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F9362-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-8A,RDS(ON),21mΩ@10V,28mΩ@4.5V,12Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有低导通损耗、高集成度和宽栅极驱动电压范围的特点;适用于需要高效电源管理、空间受限布局和智能负载控制的场景。
供应商型号: F9362-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F9362-VB

F9362-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 21mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 8.5A
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

F9362-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

F9362-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F9362-VB F9362-VB数据手册

F9362-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
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