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NDD60N745U1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: NDD60N745U1-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDD60N745U1-VB

NDD60N745U1-VB概述


    产品简介


    4VQFS+VODUJPO Power MOSFET
    4VQFS+VODUJPO 是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力。该产品适用于多种应用场合,如服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(包括高强度放电灯HID和荧光灯照明)。此外,它还广泛应用于工业控制领域。

    技术参数


    - 最大电压(VDS): 650V @ TJ max.
    - 最大电流(ID): 2A @ TC = 25°C, 1A @ TC = 100°C
    - 最大脉冲电流(IDM): 12A
    - 导通电阻(RDS(on)): 最大0.7Ω @ VGS = 10V, ID = 4A
    - 栅源电荷(Qg): 最大32nC @ VGS = 10V, ID = 4A
    - 输入电容(Ciss): 最大147pF @ VGS = 0V, VDS = 100V
    - 输出电容(Coss): 可变
    - 门极驱动电阻(Rg): 最小3.5Ω @ f = 1MHz
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 97mJ
    - 最大耗散功率(PD): 94W

    产品特点和优势


    - 低功耗: 低导通电阻和低栅极电荷确保了较低的能耗。
    - 高效率: 低输入电容(Ciss)减少了开关损耗。
    - 高可靠性: 高耐压能力和大额定电流使其在恶劣环境下依然可靠。
    - 快速响应: 低栅极电荷和高转导能力使得开关时间更短,有利于提高系统的整体效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源: 在这些应用中,高效的电源管理是关键,该MOSFET能够显著减少能源浪费。
    - 照明系统: 高强度放电灯和荧光灯照明需要稳定的电流供应,该MOSFET可有效满足这一需求。
    使用建议
    - 散热管理: 尽管该MOSFET具备出色的散热设计,但在高负载条件下仍需注意散热。
    - 合理布线: 确保门极驱动电路设计合理,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用标准封装(如TO-220AB),与现有许多电源设计兼容。制造商提供详尽的技术支持,包括设计指南和测试报告,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 温度过高导致性能下降
    - 解决方案: 通过增加散热片或优化PCB布局来改善散热条件。
    2. 启动时门极驱动电压不稳定
    - 解决方案: 检查门极驱动电路,确保正确的电压水平和滤波器设计。

    总结和推荐


    综合评估:
    4VQFS+VODUJPO Power MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的适用范围,在服务器电源、照明系统和工业控制领域展现出强大的竞争力。其高效的开关特性和低功耗使其成为市场上颇具吸引力的选择。
    推荐:
    强烈推荐用于需要高效能、高可靠性的电力管理和控制系统的应用场景。该产品不仅符合RoHS标准,且采用了无卤素材料,对于环保要求较高的应用同样适用。

NDD60N745U1-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDD60N745U1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDD60N745U1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDD60N745U1-VB NDD60N745U1-VB数据手册

NDD60N745U1-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
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型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
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06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336