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HM20N15K-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,25A,RDS(ON),42mΩ@10V,50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: HM20N15K-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HM20N15K-VB

HM20N15K-VB概述

    # HM20N15K N-Channel 150V MOSFET 技术手册

    产品简介


    HM20N15K 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(场效应晶体管),具有卓越的性能和可靠性,适用于开关电源和高压驱动电路。这款器件提供低导通电阻(RDS(on))、极低栅极电荷(Qg)和高雪崩能力,特别适合于高频开关应用。主要功能包括极低的开关损耗和高性能热稳定性。产品广泛应用于直流转换器、逆变器、电机控制和电池管理等领域。

    技术参数


    以下为 HM20N15K 的关键技术和电气特性:
    - 额定电压:150 V
    - 漏源电流(连续):40 A
    - 漏源电压(耐压):150 V
    - 导通电阻:0.032 Ω @ VGS = 10 V, ID = 5 A
    0.045 Ω @ VGS = 8 V, ID = 5 A
    - 总栅极电荷:23 nC @ VGS = 10 V, ID = 5 A
    28.5 nC @ VGS = 10 V, ID = 5 A
    - 最大功耗:5.9 W @ TC = 25°C
    3.8 W @ TC = 70°C
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗(结至壳体):17°C/W
    (结至环境):33°C/W

    产品特点和优势


    HM20N15K 具有以下显著特点和优势:
    1. 极低导通电阻:导通电阻仅为 0.032 Ω,有效减少功耗,提高能效。
    2. 快速开关性能:极低的总栅极电荷和快速开关时间使器件能够应对高频应用需求。
    3. 高可靠性:100% 的 Rg 和雪崩测试保证了长期稳定运行。
    4. 无卤环保设计:符合 IEC 61249-2-21 标准,绿色环保设计确保安全合规。
    5. 适用多种环境:工作温度范围宽广,可在极端条件下保持高性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 开关电源:用于初级侧开关,降低开关损耗并提升效率。
    2. 逆变器模块:在光伏逆变器和 UPS 系统中发挥高效性能。
    3. 电机驱动:用于电机的高效调速与控制。
    使用建议:
    - 在高频应用中,建议使用低阻抗 PCB 板材以减小寄生效应。
    - 为实现最佳散热效果,可将器件安装在较大的散热片上。
    - 针对复杂电路板设计,建议结合模拟工具对热分布进行详细分析。

    兼容性和支持


    HM20N15K 具备良好的兼容性,可与多种驱动器和控制器配合使用。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过热现象 | 使用更大的散热片或调整布局减少热阻 |
    | 高频工作时导通电阻增加 | 确保良好 PCB 设计并选择更低导通电阻器件 |
    | 输出波形失真 | 检查驱动信号质量和负载平衡 |

    总结和推荐


    HM20N15K N 沟道 150V MOSFET 是一款高性价比且高性能的产品,适用于多种高频开关应用场合。其出色的性能指标、可靠的热管理和广泛的适用范围使其成为市场上极具竞争力的选择。我们强烈推荐该产品给需要高效能解决方案的设计工程师。
    如果您有任何疑问或需要进一步支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。
    版权说明:本技术文档中的所有内容均受 VBsemi 保护,未经授权不得复制或传播。

HM20N15K-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 25A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@10V,50mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HM20N15K-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HM20N15K-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HM20N15K-VB HM20N15K-VB数据手册

HM20N15K-VB封装设计

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