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K19A45DA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: K19A45DA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K19A45DA4-VB

K19A45DA4-VB概述

    K19A45DA4-VB N-Channel 650 V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K19A45DA4-VB 是一款N沟道超结功率MOSFET,其最高耐压可达650V(D-S),非常适合用于服务器、通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源以及照明和工业应用中。这款产品具有高可靠性、低损耗的特点,能够显著提升系统的能效。

    2. 技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 2 5 | V |
    | 栅源漏电流 | ±100 | nA |
    | 零栅极电压漏电流 | 1 | μA |
    | 导通电阻 0.19 Ω |
    | 输入电容 2322 pF |
    | 输出电容 105
    | 反向传输电容 4
    | 有效输出电容(能量相关) 84
    | 有效输出电容(时间相关) 293
    | 总栅极电荷 71.06 nC |
    | 栅源电荷 14 nC |
    | 栅漏电荷 33 nC |
    | 开启延迟时间 22.4 ns |
    | 上升时间 34 ns |
    | 关闭延迟时间 68 ns |
    | 下降时间 42 ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低优值系数(FOM):Ron x Qg 低,显著减少导通和开关损耗。
    - 低输入电容(Ciss):减小开关损耗,提高能效。
    - 降低损耗:通过减少开关和传导损耗来提升整体系统效率。
    - 超低栅极电荷(Qg):加快开关速度,减少开关损耗。
    - 雪崩能量评级(UIS):确保可靠的工作状态。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:提高能效,减少发热。
    - 开关模式电源(SMPS):减小尺寸和重量,提高效率。
    - 功率因数校正电源(PFC):提高系统的功率因数。
    - 照明系统:适用于高亮度放电灯(HID)和荧光灯。
    - 工业应用:提供可靠的功率控制和保护。
    使用建议
    - 选择合适的驱动电路:以减少栅极电荷带来的开关损耗。
    - 注意散热设计:保证器件正常工作温度范围内。
    - 优化PCB布局:减少寄生电感和电容,提高系统稳定性。

    5. 兼容性和支持


    K19A45DA4-VB 采用标准的TO-220 FULLPAK封装,与大多数现有的驱动和冷却解决方案兼容。VBsemi 提供详尽的技术支持文档和专业咨询,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:K19A45DA4-VB 是否适合高压应用?
    - 答:是的,K19A45DA4-VB 的最大耐压为650V(D-S),适合高压应用。
    2. 问:如何避免过高的栅极电压损坏器件?
    - 答:确保栅极电压(VGS)不超过±30V。可以使用稳压电路来保护栅极不受过高电压的影响。
    3. 问:产品如何防止热失控?
    - 答:在设计时考虑适当的散热措施,并使用热敏电阻等器件监控器件温度,以确保安全运行。

    7. 总结和推荐


    K19A45DA4-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 是一款高效、可靠的产品,在服务器电源、通信电源和各种工业应用中表现出色。其低导通电阻和低开关损耗使其成为众多应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高能效和稳定性的场合。如果您有任何疑问或需要进一步技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

K19A45DA4-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K19A45DA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K19A45DA4-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K19A45DA4-VB K19A45DA4-VB数据手册

K19A45DA4-VB封装设计

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