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PHP160NQ08T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: PHP160NQ08T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PHP160NQ08T-VB

PHP160NQ08T-VB概述

    N-Channel 80V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:N-Channel 80V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - TrenchFET® 功率 MOSFET
    - 具备UIS(雪崩耐受)和Rg(栅极电阻)测试功能
    应用领域:
    - 初级侧开关
    - 同步整流
    - 直流/交流逆变器
    - LED 背光照明

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 80 V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 V |
    | 漏极连续电流 | ID | 28.6 (TA=25°C) 24.9 (TA=70°C) | A |
    | 漏极脉冲电流 | IDM 350 | A |
    | 源漏二极管连续电流 | IS | 4.5 (TA=25°C) A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS 30 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 45 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 5 (TA=25°C) 3.2 (TA=70°C) | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试,确保长期可靠运行。
    - 低导通电阻:在 10V VGS 下的典型导通电阻为 7mΩ。
    - 优秀的动态性能:输入电容 Ciss 可达 3855 pF,输出电容 Coss 为 1120 pF。
    - 快速开关性能:典型上升时间 tr 可低至 8ns,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 初级侧开关:用于功率转换电路中的开关控制。
    - 同步整流:在逆变器系统中实现高效能整流。
    - LED 背光照明:利用低导通电阻特性提供稳定的电流输出。
    使用建议:
    - 散热设计:考虑到高功率耗散,建议采用合适的散热器以避免热失控。
    - 驱动电路:确保驱动电压 VGS 在 -20V 至 +20V 之间,避免超出绝对最大额定值。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与多种电路板兼容,如表面安装在 1" x 1" FR4 板上。
    - 支持:由制造商提供技术支持和维护服务,具体详情请参考官方网站。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查 VGS 是否在正常范围内;如果需要,增加 VGS 电压 |
    | 高温环境下性能下降 | 确保使用适当的散热措施;检查散热器安装是否正确 |
    | 开关速度慢 | 检查驱动电路,确认驱动信号频率和振幅 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:具备高可靠性、低导通电阻、快速开关性能等特点,非常适合于各种电力转换应用。
    - 推荐:强烈推荐使用此款 N-Channel 80V MOSFET,特别是在需要高效、可靠的电源管理解决方案的应用场合。
    这款 N-Channel 80V MOSFET 以其出色的性能和广泛的应用范围,在电力电子领域展现出强大的市场竞争力。

PHP160NQ08T-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 80V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

PHP160NQ08T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PHP160NQ08T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PHP160NQ08T-VB PHP160NQ08T-VB数据手册

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