处理中...

首页  >  产品百科  >  4575M-VB

4575M-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN+P沟道,±60V,6.5/-5A,RDS(ON),28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.9Vth(V) 封装:SOP8可用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备领域。
供应商型号: 4575M-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4575M-VB

4575M-VB概述


    产品简介


    本文档介绍了两种类型的N-Channel和P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它们是现代电子电路中不可或缺的元件。这两种MOSFET具备出色的电流控制能力和低导通电阻,广泛应用于逆变器、电源管理等领域。

    技术参数


    N-Channel MOSFET
    - VDS(漏源电压):60V
    - RDS(on)(导通电阻):0.026Ω @ VGS = 10V
    - ID(最大连续漏极电流):5.3A @ TC = 25°C
    - Qg(总栅极电荷):6 nC @ VDS = 30V, VGS = 10V, ID = 4.3A
    P-Channel MOSFET
    - VDS(漏源电压):60V
    - RDS(on)(导通电阻):0.055Ω @ VGS = -10V
    - ID(最大连续漏极电流):4.9A @ TC = 25°C
    - Qg(总栅极电荷):8 nC @ VDS = -30V, VGS = -10V, ID = -3.1A

    产品特点和优势


    N-Channel MOSFET
    - 高效能:在VGS = 10V时,导通电阻仅为0.026Ω,能够有效降低功耗。
    - 高可靠性:所有产品都经过UIS和Rg测试,确保其可靠性和稳定性。
    - 低栅极电荷:Qg值低至6 nC,减少开关损耗,提高效率。
    P-Channel MOSFET
    - 优异的热性能:在-55°C到150°C的工作温度范围内表现出色。
    - 低栅极电荷:Qg值低至8 nC,减少开关损耗。
    - 高可靠性:所有产品均经过UIS和Rg测试。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET广泛应用于逆变器、电源管理和直流/直流转换器等场合。在逆变器中,它们可以高效地控制电流流动,保证系统的稳定运行。对于具体的应用案例,根据不同的设计要求选择合适的MOSFET型号,同时注意散热措施,以确保其长期稳定工作。
    使用建议
    - 设计注意事项:确保电路的散热设计合理,特别是在高功率应用中。
    - 工作温度范围:确保工作温度在规定的范围内,避免因温度过高导致失效。

    兼容性和支持


    这些MOSFET符合RoHS标准,且为无卤素材料。此外,厂商提供详尽的技术支持,包括技术文档和在线咨询服务,帮助用户解决使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    Q1: 设备过热怎么办?
    - A1: 确保散热设计合理,增加散热片或风扇辅助散热。
    Q2: MOSFET损坏怎么办?
    - A2: 检查电路设计是否正确,确保电压和电流不超过额定值。必要时更换新的MOSFET。

    总结和推荐


    这些N-Channel和P-Channel MOSFET在性能、可靠性以及适用性方面都表现出色。它们非常适合于各种高功率应用场合,如逆变器、电源管理等。强烈推荐这些产品用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。

4575M-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 ±60V
Id-连续漏极电流 6.5A,5A
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.9V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 N+P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 28/51mΩ@10V,34/60mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4575M-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4575M-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4575M-VB 4575M-VB数据手册

4575M-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 1.987
4000+ ¥ 1.9005
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504