处理中...

首页  >  产品百科  >  2N65LG-TA3-T-VB

2N65LG-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: 2N65LG-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2N65LG-TA3-T-VB

2N65LG-TA3-T-VB概述

    N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    2N65LG-TA3-T-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高压和高频开关应用设计。其主要功能包括低栅极电荷(Qg)和高可靠性,适用于工业控制、电源转换器、电机驱动等多个领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4Ω @ VGS = 10V
    - 栅源电荷 (Qg): 最大 11nC
    - 栅源电容 (Ciss): 417pF @ VDS = 25V
    - 栅漏电容 (Crss): 5pF
    - 输出电容 (Coss): 45pF
    - 连续漏极电流 (ID): 1.28A @ TC = 100°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 8A
    - 单次脉冲雪崩能量 (EAS): 165mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 2A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6mJ
    - 最大功耗 (PD): 45W @ TC = 25°C
    - 结到环境热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 结到外壳热阻 (RthJC): 2.1°C/W
    - 最大工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷: 低 Qg 可简化驱动要求,降低驱动损耗。
    2. 高可靠性: 改善了栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性。
    3. 全面表征的电容和雪崩特性: 雪崩电压和电流已全面表征,确保高可靠性。
    4. 符合 RoHS 规范: 全面遵守 RoHS 指令 2002/95/EC。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制: 在需要高压控制的应用中,如工业自动化控制系统。
    - 电源转换器: 在高频开关电源中作为开关元件。
    - 电机驱动: 用于驱动电动机时,提供高效的电能转换。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于最大功耗为 45W,务必进行有效的散热设计,确保设备正常运行。
    - 驱动电路设计: 由于低栅极电荷的特点,应设计合适的驱动电路以减少驱动损耗。
    - 防浪涌保护: 在高压应用中,应考虑使用浪涌保护装置来防止瞬态电压对器件造成损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与其他同类产品在相同的封装和电气特性下互换使用。
    - 支持和服务: 厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户进行产品选择和应用设计。

    常见问题与解决方案


    1. 高温运行时功率损耗增加:
    - 解决方案: 优化散热设计,使用散热片或风扇加强散热效果。
    2. 驱动电路复杂度增加:
    - 解决方案: 使用专用的 MOSFET 驱动芯片来简化驱动电路。
    3. 雪崩电压不稳定:
    - 解决方案: 确保外部电路设计符合产品手册中的推荐条件,并定期检查电路稳定性。

    总结和推荐


    综上所述,2N65LG-TA3-T-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,特别适合高压和高频开关应用。其低栅极电荷和高可靠性使其在工业控制、电源转换器和电机驱动等领域具有显著优势。建议在选择和使用时充分考虑散热设计和驱动电路设计,以确保最佳性能和使用寿命。总体而言,这款 MOSFET 是高性能应用的理想选择,强烈推荐给相关领域的工程师和技术人员。

2N65LG-TA3-T-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

2N65LG-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2N65LG-TA3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2N65LG-TA3-T-VB 2N65LG-TA3-T-VB数据手册

2N65LG-TA3-T-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336