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4N50L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 4N50L-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N50L-TF3-T-VB

4N50L-TF3-T-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET (4N50L-TF3-T-VB)

    1. 产品简介


    N-Channel 650V Power MOSFET(型号:4N50L-TF3-T-VB)是一款专为高电压应用设计的场效应晶体管。该器件具有低栅极电荷(Qg),简单的驱动要求,并且具备出色的门极、雪崩和动态dv/dt耐受性。此外,它还完全具备栅极电容和雪崩电压及电流的特征化数据。产品符合欧盟RoHS指令2002/95/EC。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 额定电压 (VDS): 650 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 2.5 Ω @ 10 V VGS
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 48 nC
    - 最大门极-源极电荷 (Qgs): 12 nC
    - 最大门极-漏极电荷 (Qgd): 19 nC
    - 极限参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 最大门极-源极电压 (VGS): ± 30 V
    - 连续漏极电流 (ID): 3.8 A @ 25 °C, 10 V VGS; 3.2 A @ 100 °C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 325 mJ
    - 峰值漏极-源极雪崩电压 (VDS): 650 V
    - 最大功耗 (PD): 30 W @ 25 °C
    - 最大结温 (TJ): 150 °C
    - 热阻参数:
    - 结到环境最大热阻 (RthJA): 65 °C/W
    - 结到外壳最大热阻 (RthJC): 2.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低Qg减少了驱动要求,使得电路设计更加简单高效。
    - 高可靠性: 改善了门极、雪崩和动态dv/dt的鲁棒性。
    - 全面特征化: 完全特征化的栅极电容和雪崩电压及电流,提高了产品性能的可预测性和可靠性。
    - 环保合规: 符合RoHS指令,适用于多种环境法规要求的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 此款MOSFET广泛应用于电源转换器、电机驱动、照明系统和其他高电压应用中。例如,在逆变器中,可以实现高效的功率转换。
    - 使用建议: 在高电流环境下使用时,确保散热良好,避免因温度过高导致性能下降。在设计开关电源时,考虑使用适当的滤波和保护电路以减少dv/dt的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 4N50L-TF3-T-VB与标准的TO-220封装兼容,可方便地替换同类型的其他器件。
    - 支持: 可通过官方服务热线(400-655-8788)获得技术支持和服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 电路中出现异常高温。
    - 解决办法: 检查散热片是否安装正确且有效,必要时增加额外散热措施。
    - 问题2: 开关过程中出现噪声。
    - 解决办法: 检查门极驱动电路并确保正确的滤波,以减少dv/dt的影响。
    - 问题3: 漏极电流超出额定值。
    - 解决办法: 检查电路设计,确保负载电流不超过MOSFET的最大允许值,并适当调整驱动参数。

    7. 总结和推荐


    N-Channel 650V Power MOSFET (4N50L-TF3-T-VB) 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合高电压应用。其低栅极电荷、高鲁棒性以及环保合规性使其在市场上具备较强的竞争优势。强烈推荐在需要高效能和高稳定性的电力转换应用中使用此产品。

4N50L-TF3-T-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

4N50L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N50L-TF3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N50L-TF3-T-VB 4N50L-TF3-T-VB数据手册

4N50L-TF3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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144N12N-VB ¥ 4.2759
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15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336