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NTMS4107NR2G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: NTMS4107NR2G-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTMS4107NR2G-VB

NTMS4107NR2G-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一种高性能的半导体开关器件,主要用于高边同步整流操作。它的主要功能是作为电源转换过程中的开关元件,广泛应用于笔记本电脑的核心处理器供电系统和其他需要高效能电力转换的应用领域。

    2. 技术参数


    以下是该N-Channel MOSFET的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.004 | 0.005 Ω |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) | ID | 18 A |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | 10 µA |
    | 输入电容 | Ciss | 820 pF |
    | 输出电容 | Coss | 195 pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 73 pF |
    | 总栅电荷 | Qg | 6.8 | 23 nC |
    | 栅极驱动电阻 | Rg | 0.36 | 1.8 | 3.6 | Ω |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料:无卤素设计,符合RoHS标准。
    - 高效能:采用TrenchFET®技术,适合高边同步整流操作。
    - 质量保证:100% Rg测试和100% UIS测试,确保产品的稳定性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品常用于笔记本电脑的核心处理器供电系统,具体如下:
    - 应用场景:高边开关,笔记本CPU核心供电。
    - 使用建议:
    - 确保电路布局合理,以减少杂散电感和电容的影响。
    - 使用适当的散热措施,如散热片或风扇,以保持器件在安全的工作温度范围内。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用SO-8封装,易于集成到现有的电路板设计中。
    - 支持:VBsemi公司提供全面的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中得到及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:器件发热过快,导致温度过高。
    - 解决方法:检查电路布局,确保良好的散热条件;使用散热片或其他散热装置。
    - 问题:漏极电流不稳定。
    - 解决方法:重新校准栅极电压,确保正确的栅极驱动条件。

    7. 总结和推荐


    该N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其高效的性能和可靠的设计,在电源转换和高边开关应用中表现出色。其无卤素设计、高质量保证和广泛的适用性使其成为一款值得推荐的产品。对于需要高效、可靠电力转换的系统,该产品是一个理想的选择。
    希望上述文章能够帮助您深入了解该电子元器件的产品特性和技术优势。如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

NTMS4107NR2G-VB参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTMS4107NR2G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTMS4107NR2G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTMS4107NR2G-VB NTMS4107NR2G-VB数据手册

NTMS4107NR2G-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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