处理中...

首页  >  产品百科  >  LR3716-VB

LR3716-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: LR3716-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) LR3716-VB

LR3716-VB概述

    LR3716 N-Channel 20V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    LR3716 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 20V (D-S) MOSFET。
    这种 MOSFET 主要用于功率转换和控制应用,具有低导通电阻和高耐温特性。它广泛应用于电源管理、电机驱动、LED 照明等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 最大漏源电压 (VDS) | 20 V |
    | 最大栅源电压 (VGS) | ±15 V |
    | 漏极连续电流 (ID) | 100 A (TC=25℃), 80 A (TC=100℃) |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | 200 A |
    | 最大功率耗散 (PD) | 71 W (TC=25℃), 8.3 W (TA=25℃) |
    | 最大工作温度 (TJ) | -55℃ 到 +175℃ |
    | 热阻 (RthJA) | 40℃/W (最大值) |
    | 静态电气参数
    | 开启门限电压 (VGS(th)) | 0.5 V (最小值) |
    | 关断泄漏电流 (IGSS) | ≤100 nA |

    3. 产品特点和优势


    LR3716 具有以下特点和优势:
    - 高耐温性:最大结温可达 175℃,适用于高温环境。
    - 低导通电阻 (rDS(on)):在 4.5V 栅源电压下,rDS(on) 为 0.0045Ω,确保了高效率运行。
    - TrenchFET 技术:增强了器件的性能和可靠性。
    - 100% Rg 测试:保证了所有器件均经过栅极电阻测试,确保一致性和可靠性。
    这些特点使得 LR3716 在严苛的工业和汽车环境中表现出色,同时提高了系统的整体效率和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 电源转换器:由于其低导通电阻和高耐温性,LR3716 可用于电源转换器,提高转换效率。
    - 电机驱动:适合应用于需要高电流和可靠性的电机驱动系统中。
    - LED 照明:LR3716 的高耐温性和低导通电阻使其成为 LED 照明应用的理想选择。
    使用建议:
    - 散热设计:由于器件在高温下工作,需注意良好的散热设计以防止过热。
    - 驱动电路设计:采用适当的栅极电阻和门极驱动电路,以确保开关速度和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - LR3716 使用标准 TO-252 封装,易于与其他 TO-252 封装的器件互换。
    - 厂商提供全面的技术支持和文档资源,帮助客户解决技术难题并优化应用设计。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题:如何进行有效的散热?
    解决方案: 选用合适的散热器和 PCB 设计,确保 MOSFET 在工作过程中保持适当的温度。
    - 问题:如何正确选择栅极电阻?
    解决方案: 根据驱动条件和应用需求选择合适的栅极电阻,确保开关性能和可靠性的平衡。
    - 问题:如何测试器件的耐温性?
    解决方案: 进行高温老化试验,并参考厂家提供的热阻参数,确保器件在预期工作环境下稳定运行。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:LR3716 在高温、高电流和高效率要求的应用中表现出色。其 TrenchFET 技术和高可靠性使其成为高端应用的理想选择。
    - 推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐 LR3716 用于需要高性能 MOSFET 的各类工业和汽车电子产品。
    通过以上解析,我们可以看出 LR3716 不仅具备出色的技术参数和应用特性,还提供了完善的售后支持和服务,是值得信赖的产品。

LR3716-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 145A
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 15V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

LR3716-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

LR3716-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 LR3716-VB LR3716-VB数据手册

LR3716-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504