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F7104-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。P+P沟道,-30V,-7.3A,RDS(ON),35mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.7Vth(V)封装:SOP8具有高集成度、低导通电阻和高电流能力等优势;适用于中央空调智能控制系统、汽车电子系统、电源多路分配与负载开关等。
供应商型号: 14M-F7104-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F7104-VB

F7104-VB参数

参数 值
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@10V,48mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

F7104-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

F7104-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 F7104-VB F7104-VB数据手册

F7104-VB封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.9715
10+ ¥ 1.8555
30+ ¥ 1.6561
100+ ¥ 1.2409
4000+ ¥ 1.1945
12000+ ¥ 1.1597
库存: 20
起订量: 1 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.97
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型号 价格(含增值税)
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