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JCS7N60C-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: JCS7N60C-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS7N60C-O-C-N-B-VB

JCS7N60C-O-C-N-B-VB概述


    产品简介




    JCS7N60C-O-C-N-B-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管,广泛应用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及其他需要高速电力转换的应用场合。该器件具有低栅极电荷(Qg)的特点,有助于简化驱动需求,同时具备改进的栅极、雪崩及动态dV/dt鲁棒性。其完全表征的电容和雪崩电压电流特性,使其成为可靠的选择。


    技术参数




    - 额定电压(VDS): 600V
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.780Ω(VGS = 10V)
    - 最大总栅极电荷(Qg): 49nC
    - 最大栅源电荷(Qgs): 13nC
    - 最大栅漏电荷(Qgd): 20nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS): 600V
    - 栅源电压(VGS): ±30V
    - 持续漏极电流(ID): 8.0A(TC = 25°C),5.8A(TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM): 37A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 290mJ
    - 重复雪崩电流(IAR): 8.0A
    - 重复雪崩能量(EAR): 17mJ
    - 最大功耗(PD): 170W
    - 工作温度范围:
    - 结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C


    产品特点和优势




    JCS7N60C-O-C-N-B-VB 的主要特点包括:
    - 低栅极电荷:简化驱动要求,降低功耗。
    - 改进的栅极、雪崩及动态dV/dt鲁棒性:提升设备的可靠性,增强抗干扰能力。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流:确保在复杂应用中的稳定性能。
    - 宽工作温度范围:适用于严苛环境下的工业应用。

    这些特性使它在市场上具有很强的竞争优势,特别是在需要高效能和高可靠性的电力转换场合。


    应用案例和使用建议




    JCS7N60C-O-C-N-B-VB 广泛应用于各类电力转换系统,如开关电源和不间断电源。以开关电源为例,其关键参数如下:
    - 应用场景: 开关电源中主开关、辅助电路等。
    - 使用建议: 在使用过程中需注意驱动电路的设计,确保栅极电压符合规定范围。同时,合理设计散热系统以确保安全运行。


    兼容性和支持




    - 兼容性: 该产品与大多数标准的开关电源控制芯片兼容。
    - 支持和服务: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册和技术文档,帮助用户快速掌握使用方法。


    常见问题与解决方案




    - Q: 栅极电压过高怎么办?
    - A: 确保栅极电压在规定的±30V范围内,过高的电压会导致器件损坏。

    - Q: 高温环境下工作时电流会下降吗?
    - A: 是的,在高温环境下,电流会受到限制。务必关注器件的工作温度,保证不超过150°C。


    总结和推荐




    JCS7N60C-O-C-N-B-VB N-Channel MOSFET 是一款高度可靠的功率器件,其低栅极电荷和高鲁棒性使其在多种电力转换应用中表现出色。该器件在可靠性、效率和成本效益方面都具备显著优势。对于需要高效电力转换的场合,强烈推荐使用这款器件。

JCS7N60C-O-C-N-B-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 8A
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS7N60C-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS7N60C-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS7N60C-O-C-N-B-VB JCS7N60C-O-C-N-B-VB数据手册

JCS7N60C-O-C-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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型号 价格(含增值税)
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