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FS641-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,200V,20A,RDS(ON),90mΩ@10V,100mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:TO220F 由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流容量,可用于开关电源、逆变器和DC/DC转换器等电源模块,实现稳定高效的电能转换。
供应商型号: FS641-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FS641-VB

FS641-VB概述

    FS641-VB N-Channel 200V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FS641-VB 是一款 N 沟道 MOSFET,适用于表面贴装和低轮廓通孔安装方式。该器件具有无卤素(符合 IEC 61249-2-21 定义)的优点,并且完全符合 RoHS 指令 2002/95/EC。FS641-VB 具备快速开关能力和全雪崩额定值,广泛应用于电源转换、电机控制和其他高可靠性需求的应用场景中。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大栅极电压:±20 V
    - 连续漏极电流(TC = 25 °C):20 A
    - 脉冲漏极电流(峰值):72 A
    - 热阻抗(PCB 安装):40 °C/W
    - 单脉冲雪崩能量:580 mJ
    - 重复雪崩能量:13 mJ
    - 开启延迟时间:14 ns
    - 上升时间:51 ns
    - 关断延迟时间:45 ns
    - 下降时间:36 ns
    - 雪崩电流:20 A
    - 峰值二极管恢复 dV/dt:5.0 V/ns
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压:200 V
    - 栅源阈值电压:2.0 - 4.0 V
    - 漏源导通电阻:0.058 Ω
    - 输入电容:最大 1300 pF
    - 输出电容:最大 430 pF
    - 反向传输电容:最大 130 pF
    - 门极电荷:最大 70 nC
    - 动态参数:
    - 总门极电荷:最大 70 nC
    - 门极-源极电荷:13 nC
    - 门极-漏极电荷:39 nC
    - 门极电荷波形测试电路如图 13b 所示

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:低漏源导通电阻(0.058 Ω)和高雪崩耐量(580 mJ),确保了卓越的功率处理能力。
    - 快速开关:短的开关延迟时间和上升时间(14 ns 和 51 ns),非常适合高频应用。
    - 高可靠性:无卤素设计,符合 RoHS 标准,确保产品在极端环境下依然可靠。
    - 灵活安装:支持表面贴装和低轮廓通孔安装,便于不同应用场景下的集成。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:FS641-VB 广泛用于电源转换模块中,如DC-DC转换器、电机驱动电路等。在某些电源管理设计中,使用FS641-VB能够显著提高效率并减少发热。
    - 使用建议:在设计过程中,需要考虑温度上升的影响,合理布局电路板以减少寄生电感和电容的影响,从而提高系统的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FS641-VB 与其他标准表面贴装器件兼容,可用于多种封装和安装方式。
    - 支持:台湾 VBsemi 提供全面的技术支持和客户服务,包括产品咨询、技术支持和售后保障。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何降低系统发热?
    - A: 合理布局电路板,采用大面积铜箔散热;增加外部散热片,提高热交换效率。
    - Q: 在高压应用中,如何避免过压损坏?
    - A: 使用合适的保护电路,如钳位二极管或瞬态抑制器,以吸收瞬间过电压。
    - Q: 如何优化开关速度?
    - A: 减小栅极电阻值,选择合适尺寸的栅极驱动器,以减少开关延迟和上升时间。

    7. 总结和推荐


    FS641-VB 是一款高性能、多功能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高可靠性要求的应用场景。凭借其高效的性能、出色的开关速度和良好的兼容性,该产品在市场上具备较强的竞争优势。因此,我们强烈推荐在需要高可靠性、高效能的电力电子应用中选用 FS641-VB。

FS641-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@10V,100mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 20A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FS641-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FS641-VB数据手册

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FS641-VB封装设计

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