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NTD95N02RG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应管,具有20V的标称漏极-源极电压(VDS),±20V的标称栅极-源极电压(VGS),以及0.5~1.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=2.5V时,其导通电阻(RDS(on))为6mΩ,在VGS=4.5V时为5mΩ。该器件最大漏极电流(ID)可达100A,采用Trench技术(沟槽结构),封装为TO252。该器件适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。
供应商型号: NTD95N02RG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD95N02RG-VB

NTD95N02RG-VB概述


    产品简介


    NTD95N02RG 是一款高性能 N 沟道 TrenchFET™ 功率 MOSFET,采用 TO-252 封装形式,专为需要高可靠性的应用场景设计。此产品适用于工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子等领域。NTD95N02RG 的最大结温高达 175°C,支持在严苛的工作环境下稳定运行,具有卓越的热管理和开关性能。

    技术参数


    以下是 NTD95N02RG 的关键技术规格:
    - 漏源电压(VDS):20 V
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - TC=25°C:100 A
    - TC=100°C:80 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 最大耗散功率(PD):
    - TC=25°C:71 W
    - TA=25°C:8.3 W(表面安装于 1"×1" FR4 板上)
    - 寄生电容:
    - 输入电容(Ciss):3660 pF
    - 输出电容(Coss):730 pF
    - 反向转移电容(Crss):375 pF
    - 总栅极电荷(Qg):26-35 nC
    - 开启时间(td(on)):20-35 ns
    - 关断时间(td(off)):45-70 ns
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - VGS=4.5V:0.0045 Ω
    - VGS=2.5V:0.006 Ω
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 175°C

    产品特点和优势


    NTD95N02RG 的主要特点和优势如下:
    1. TrenchFET™ 技术:先进的沟槽结构提升了开关速度和效率,同时降低了导通电阻,减少了功耗。
    2. 高可靠性:最高可承受 175°C 的结温,适合恶劣环境下的应用。
    3. 快速开关性能:低开关损耗,支持高频工作模式。
    4. 高集成度:TO-252 封装方便焊接和散热管理。
    5. 宽泛的应用适应性:适合多种场景,如电机驱动、DC-DC 转换器、LED 驱动器等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 工业控制:用于 PLC 和工业自动化系统中,提供高效的电源管理。
    2. 消费电子:适合电视背光驱动和音频放大器。
    3. 汽车电子:可用于车载娱乐系统或启停系统的电源转换模块。
    使用建议
    - 散热设计:由于功耗较高,建议增加散热片或优化 PCB 布局以提升散热效率。
    - PWM 控制:针对高频开关应用,可以结合 PWM 信号实现高效控制。
    - 并联操作:在高电流需求场景下,可以通过并联多个 NTD95N02RG 实现更大电流输出。

    兼容性和支持


    NTD95N02RG 支持标准 TO-252 封装,与同类产品互换性良好,便于替换升级。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可通过服务热线 400-655-8788 获取相关技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过低 | 检查输入电压是否符合要求,调整栅极驱动电路。 |
    | 温度过高 | 添加散热片或改善 PCB 热传导设计。 |
    | 导通电阻偏大 | 确保 VGS 超过阈值电压,提高驱动强度。 |

    总结和推荐


    NTD95N02RG 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备出色的开关性能和热稳定性,在工业、消费和汽车电子领域具有广泛的应用前景。其紧凑的 TO-252 封装设计和优秀的技术参数使其在市场上极具竞争力。综合评估后,强烈推荐该产品用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
    如果您正在寻找一款高性能、低成本且易于集成的功率器件,NTD95N02RG 是您的理想选择!

NTD95N02RG-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 145A
通道数量 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 15V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@4.5V,3.5mΩ@2.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 870mV
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD95N02RG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD95N02RG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD95N02RG-VB NTD95N02RG-VB数据手册

NTD95N02RG-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
库存: 400000
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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