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NP36N055SLE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: NP36N055SLE-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP36N055SLE-VB

NP36N055SLE-VB概述

    NP36N055SLE MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NP36N055SLE 是一款高性能的N沟道TrenchFET®功率MOSFET。该器件适用于多种电力电子应用,如开关电源、电机驱动器、照明系统及电源管理等领域。它的主要特点是能够承受高达175°C的结温(junction temperature),这使得它在高温环境下仍能保持稳定的性能。

    2. 技术参数


    以下是NP36N055SLE的主要技术规格和参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | 60 | - | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 门-体漏电流 | IGSS | -100 | - | 100 | nA |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | 1 | - | 250 | µA |
    | 正向传输电导率 | gfs | 60 | - | - | S |
    | 输入电容 | Ciss | 2650 | - | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | 470 | - | - | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 225 | - | - | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 47 | - | 70 | nC |
    此外,该器件的工作环境范围为-55°C到175°C,且具有较好的热稳定性。最大结-壳热阻(RthJC)为1.1°C/W,这有助于散热管理。

    3. 产品特点和优势


    - 高耐温性能:NP36N055SLE能够承受高达175°C的结温,使其在高温环境下仍能稳定运行。
    - 低RDS(on):在VGS = 10 V时,RDS(on)仅为0.010 Ω,这意味着较低的导通电阻和较高的效率。
    - 高电流承载能力:连续漏极电流可达100 A,适合于需要大电流的应用。
    - 快速开关速度:开关时间短,例如td(on)在10-20 ns之间,td(off)在35-50 ns之间,有利于高频应用。
    这些特点使得NP36N055SLE在电力电子应用中表现出色,尤其是在需要高可靠性和高效能的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    NP36N055SLE MOSFET广泛应用于各种电力电子电路中,例如:
    - 开关电源:由于其低RDS(on)和高电流承载能力,NP36N055SLE非常适合用于开关电源设计。
    - 电机驱动器:其高耐温性能和快速开关速度使得它在电机驱动器应用中表现优异。
    - LED驱动器:适用于LED照明系统的驱动器设计。
    使用建议:
    - 在选择散热器时,应考虑RthJA值以确保有效的散热。
    - 设计时应特别注意布局,确保栅极走线尽量短,以减少寄生电容效应。

    5. 兼容性和支持


    NP36N055SLE采用TO-252封装,具有良好的机械强度和热传导性能。它可与常见的电路板布局工具兼容,便于集成到现有设计中。VBsemi公司提供了详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 调整驱动信号频率,增加散热措施 |
    | 寿命不足 | 确保电路中的电压和电流不超过额定值 |
    | 开关过程中出现振铃现象 | 使用适当的缓冲电路以减少振铃 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,NP36N055SLE是一款高性能的N沟道TrenchFET®功率MOSFET,适用于各种电力电子应用。其高耐温性能、低RDS(on)、高电流承载能力和快速开关速度使得它在市场上具备很强的竞争力。因此,我们强烈推荐在需要高可靠性和高效能的电力电子应用中使用此产品。如果您对这款产品有任何疑问或需要技术支持,可联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

NP36N055SLE-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
Id-连续漏极电流 60A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP36N055SLE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP36N055SLE-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP36N055SLE-VB NP36N055SLE-VB数据手册

NP36N055SLE-VB封装设计

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