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2SK1981-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: 2SK1981-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1981-01-VB

2SK1981-01-VB概述


    产品简介


    2SK1981-01-VB N-Channel MOSFET
    2SK1981-01-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-220AB 封装。它广泛应用于各种电子设备中,特别是在开关电源、电机驱动和逆变器等领域,因其低导通电阻和高耐压特性而受到青睐。

    技术参数


    - 额定电压 \( V{DS} \): 500 V
    - 最大连续漏极电流 \( ID \):
    - 25°C 时: 13 A
    - 100°C 时: 8.1 A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 50 A
    - 最大单次脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 560 mJ
    - 最大重复雪崩能量 \( E{AR} \): 25 mJ
    - 最大结温 \( T{J} \): -55°C 至 +150°C
    - 栅源电容 \( C{iss} \): 1910 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 81 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 20 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 36 nC
    - 输出电容 \( C{oss} \): 2730 pF (当 \( V{DS} \) 为 1.0 V 且频率为 1 MHz)
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 11 pF

    产品特点和优势


    1. 降低门极电荷 \( Qg \): 这减少了驱动要求,简化了设计。
    2. 增强的门极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐久性: 改进了电路的可靠性。
    3. 完全标定的电容和雪崩电压: 确保了产品的一致性和质量。
    4. 符合 RoHS 指令: 环保标准,适用于全球市场。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK1981-01-VB 在多种应用场景中表现出色,例如开关电源、电机驱动和逆变器系统。根据手册中的测试数据,它可以承受高达 500V 的电压和高达 50A 的脉冲电流,这使其非常适合于高功率需求的应用。
    使用建议
    - 热管理: 由于其较高的热阻(最大结至环境热阻 \( R{thJA} \) 为 62°C/W),建议采用适当的散热措施,如安装散热片。
    - 驱动电路: 鉴于其较低的门极电荷 \( Qg \),可以使用较简单的驱动电路来满足需求。
    - 布局优化: 设计 PCB 时,减少寄生电感和漏电感,提高系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    2SK1981-01-VB 可以与同类封装和电气特性的其他电子元器件轻松兼容。制造商提供了一系列的技术支持文档和指南,确保用户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    1. 过温保护
    - 问题: 设备过热导致保护机制启动。
    - 解决方案: 检查并优化散热措施,如增加散热片或改善空气流动。
    2. 驱动问题
    - 问题: 驱动电路未能正确工作。
    - 解决方案: 确保驱动电路的配置符合手册要求,必要时进行调试和调整。

    总结和推荐


    综上所述,2SK1981-01-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能的功率 MOSFET,具有出色的电气特性和可靠性。其独特的设计使得它非常适合在高功率应用中使用。鉴于其优越的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在相关项目中使用此产品。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请联系我们的服务热线 400-655-8788 或访问我们的网站 www.VBsemi.com 获取更多支持。

2SK1981-01-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 13A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Vds-漏源极击穿电压 500V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK1981-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1981-01-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1981-01-VB 2SK1981-01-VB数据手册

2SK1981-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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