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WFF10N65-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: WFF10N65-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF10N65-VB

WFF10N65-VB概述

    WFF10N65 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    WFF10N65 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,其低损耗和高效率的特点使其广泛应用于多种电力转换设备中。其主要功能包括高效开关操作和高电流处理能力。该产品特别适用于服务器、通信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯照明)和工业设备中。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650 V(TJ max.)
    - 最大栅源电压 (VGS):±30 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):10 A
    - 最大脉冲漏极电流:35 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):97 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):240 W
    - 工作结温和存储温度范围:-55 °C 至 +150 °C
    - 开关特性:
    - 栅极输入电阻 (Rg):3.5 Ω
    - 输入电容 (Ciss):8 nF
    - 输出电容 (Coss):10 nF
    - 反向传输电容 (Crss):1.4 nF
    - 其他特性:
    - 总栅极电荷 (Qg):10 nC
    - 开启延迟时间 (td(on)):45 ns
    - 上升时间 (tr):62 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):40 ns
    - 下降时间 (tf):40 ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)):WFF10N65 的 RDS(on) 非常低,在 VGS = 10 V 时典型值为 0.6 Ω,这有助于减少导通损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):低输入电容可以降低开关过程中的门极充电时间,从而减少功率损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):较低的栅极电荷降低了开关过程中的能量损失,提高了效率。
    - 雪崩能量 (EAS):高雪崩能量确保在极端工作条件下也能可靠运行。
    - 热阻抗:良好的热设计和低热阻抗确保了高效的散热,延长了使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 服务器电源供应:WFF10N65 可以用于高效率、高可靠性要求的服务器电源供应系统中,能够提供稳定的电源输出。
    - 照明设备:该产品也适合用于各种照明设备,特别是高强度放电灯和荧光灯系统,提供了高效的驱动方案。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保散热系统的有效性,避免过热导致性能下降。
    - 考虑到产品的工作环境,特别是在极端温度下的性能,应选择合适的封装和散热方案。
    - 在进行开关操作时,确保正确的门极驱动信号和门极电阻的选择,以减少不必要的功率损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:WFF10N65 可以与其他常用的电力电子设备和控制系统良好兼容。
    - 支持和服务:VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括安装指导、故障排除和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品出现过热现象。
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,确保散热片和散热器的正确安装,必要时可使用强制风冷。
    2. 问题:开关频率不稳定。
    - 解决办法:检查门极驱动电路和门极电阻的选择,确保门极信号的稳定性和一致性。
    3. 问题:电源输出不稳。
    - 解决办法:检查负载条件,确保系统处于正常工作范围内,并检查电源设计是否满足要求。

    总结和推荐


    WFF10N65 功率 MOSFET 凭借其低导通电阻、低输入电容和高雪崩能量等特点,表现出卓越的性能。其在多种应用场合中表现出色,尤其适用于需要高效率和高可靠性的系统。强烈推荐用于服务器、通信设备、照明系统及工业设备等对性能有严格要求的应用场合。
    如果您有任何进一步的问题或需要技术支持,请随时联系我们。服务热线:400-655-8788。

WFF10N65-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF10N65-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF10N65-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF10N65-VB WFF10N65-VB数据手册

WFF10N65-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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