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K2624-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K2624-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2624-VB

K2624-VB概述

    K2624-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    K2624-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源转换系统、电机驱动器、照明控制等领域。它采用 TO-220 FULLPAK 封装形式,具有低栅极电荷、高耐用性以及全参数特性化,符合欧盟 RoHS 标准。

    2. 技术参数


    - 电压规格:
    - 漏源击穿电压 (VDS): 650V
    - 最大连续漏极电流 (ID): 3.8A @ 100°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 18A
    - 重复脉冲雪崩电流 (IAR): 4A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6mJ
    - 电阻特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.5Ω @ 10V
    - 输入电容 (Ciss): 80pF @ 1.0MHz
    - 输出电容 (Coss): 1912pF @ 1.0MHz
    - 门极电荷 (Qg): 48nC
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间 (td(on)): 4ns @ 325V, 3.2A
    - 关断延迟时间 (td(off)): 34ns
    - 上升时间 (tr): 20ns
    - 下降时间 (tf): 18ns
    - 热特性:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 2.1°C/W
    - 其他特性:
    - 最大存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 焊接温度 (Soldering Recommendations): 峰值温度 300°C,持续 10 秒

    3. 产品特点和优势


    K2624-VB 具有多项显著的技术优势,包括:
    - 低栅极电荷: 减少了驱动要求,使得电路设计更加简单。
    - 增强的耐用性: 改善了门极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性。
    - 全参数特性化: 在特定条件下进行了全面测试和验证。
    - RoHS 合规: 符合欧盟 RoHS 标准,适用于环保要求高的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    K2624-VB MOSFET 广泛应用于多种场合,如:
    - 电源转换系统: 在高电压转换过程中提供高效的开关控制。
    - 电机驱动器: 在需要高耐压和高电流的电机控制系统中表现出色。
    - 照明控制: 可以用于 LED 驱动器和其他照明控制电路中。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于功率较高,需要良好的散热设计来避免过热。
    - 驱动电路设计: 考虑到低栅极电荷,建议使用简单的驱动电路以降低设计复杂度。

    5. 兼容性和支持


    K2624-VB 与其他标准 MOSFET 封装和驱动器兼容,易于集成到现有系统中。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括技术文档、样本和客户支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 过热导致失效。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,并监控工作温度。

    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 优化驱动电路设计,减少开关时间。

    7. 总结和推荐


    K2624-VB N-Channel 650V MOSFET 以其高效能、高可靠性和广泛应用范围而著称。该产品非常适合需要高电压、高电流和高可靠性开关应用的场合。强烈推荐在电源管理和电机控制等领域使用该产品。

K2624-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K2624-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2624-VB数据手册

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K2624-VB封装设计

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