处理中...

首页  >  产品百科  >  FBC20-VB

FBC20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: FBC20-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FBC20-VB

FBC20-VB概述

    FBC20-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FBC20-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力电子应用。其主要功能包括低门极电荷、高可靠性以及低导通电阻。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动、通信设备及工业控制等领域。

    2. 技术参数


    - 关键参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 4.0 Ω (VGS = 10 V)
    - 总门极电荷 \( Qg \): 11 nC (最大值)
    - 门极-源极电荷 \( Q{gs} \): 2.3 nC
    - 门极-漏极电荷 \( Q{gd} \): 5.2 nC
    - 封装: TO-220AB
    - 其他参数:
    - 最大脉冲门极电压 \( V{GS} \): ±30 V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 1.28 A (TC = 100 °C)
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 165 mJ
    - 重复雪崩电流 \( I{AR} \): 2 A
    - 最大功耗 \( PD \): 45 W (TC = 25 °C)
    - 结点温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗: 最大结-壳热阻 \( R{thJC} \): 2.1 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷: 减少驱动要求,简化电路设计。
    - 高可靠性: 改善门极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐压。
    - 全面表征: 包括电容和雪崩电压、电流的完整表征。
    - 符合环保标准: 符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 开关电源、电机驱动、通信设备及工业控制。
    - 使用建议:
    - 在设计时考虑合适的门极驱动电阻和电流限制,以确保器件在安全范围内运行。
    - 使用适当的散热措施,如散热片,以降低工作温度,提高可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种标准电路和模块,具有良好的兼容性。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档和支持,以帮助客户解决问题和优化设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 导致过高的漏极电流和过热。
    - 解决方法: 确保适当的门极驱动电阻,并使用散热器或冷却系统来控制温度。
    - 问题: 雪崩电流不稳定。
    - 解决方法: 选择合适的门极驱动器,避免过高的 \( dV/dt \)。

    7. 总结和推荐


    FBC20-VB N-Channel MOSFET 是一款高效、可靠的器件,适用于多种电力电子应用。其高可靠性和全面的表征使其成为高性能电源管理的理想选择。强烈推荐在高功率和高可靠性需求的应用中使用该产品。

FBC20-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 2A
通道数量 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FBC20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FBC20-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FBC20-VB FBC20-VB数据手册

FBC20-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336