处理中...

首页  >  产品百科  >  UTT30N10L-TN3-R-VB

UTT30N10L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。
供应商型号: UTT30N10L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT30N10L-TN3-R-VB

UTT30N10L-TN3-R-VB概述

    UTT30N10L-TN3-R N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UTT30N10L-TN3-R 是一款由台湾VBsemi公司生产的N沟道100V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET集成了TrenchFET® 功率技术,具备卓越的热稳定性和低导通电阻。适用于各种电力转换应用,如开关电源、电机驱动、照明系统等。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源击穿电压 (V(BR)DSS) | 100V |
    | 漏源导通电阻 (rDS(on)) | 0.030Ω (VGS=10V, ID=5A) |
    | 连续漏极电流 (ID) | 40A (TJ=25°C) |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 120A |
    | 最大功率耗散 (PD) | 107W (TC=25°C) |
    | 热阻抗 (RthJA) | 40°C/W |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg)| -55°C 至 175°C |

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:具有175°C的结温,确保在高温环境下仍能保持稳定的性能。
    2. 低热阻抗:热阻抗仅为40°C/W,有助于快速散热,延长使用寿命。
    3. 高效能:超低的导通电阻(0.030Ω),确保高效的能量转换。
    4. 先进的封装技术:采用TrenchFET®技术,提高耐压能力和效率。

    应用案例和使用建议


    1. 开关电源:适用于各类AC-DC或DC-DC转换器,利用其高效的能量转换能力,降低功耗和发热。
    2. 电机驱动:适合于工业自动化和家用电器中的电机控制,提供可靠的开关性能和精确的电流控制。
    3. 照明系统:用于LED驱动电路中,实现高效能和长寿命。
    4. 电路保护:作为过流保护装置,确保系统的安全运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多种控制芯片和电源管理IC高度兼容。
    - 支持:制造商提供详细的技术文档、应用指南及客户支持服务。如有任何技术问题,可联系客服热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超出规定范围。
    - 解决办法:确保工作环境温度不超过-55°C至175°C范围。
    2. 问题:功耗过高导致温度上升。
    - 解决办法:增加散热片或选择更大的封装以改善热传导性能。
    3. 问题:无法达到预期的开关速度。
    - 解决办法:检查电路布局和栅极电阻设置,优化信号传输路径。

    总结和推荐


    UTT30N10L-TN3-R MOSFET凭借其卓越的性能和广泛的应用场景,是许多电力转换应用的理想选择。其高可靠性和高效率使其成为市场上的佼佼者。对于追求高性能和可靠性的设计师和工程师来说,强烈推荐使用该产品。

UTT30N10L-TN3-R-VB参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,31mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 40A
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT30N10L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT30N10L-TN3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT30N10L-TN3-R-VB UTT30N10L-TN3-R-VB数据手册

UTT30N10L-TN3-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 2.9159
100+ ¥ 2.6999
500+ ¥ 2.4839
2500+ ¥ 2.3759
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504