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PSMN004-60B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,150A,RDS(ON),4mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性,能够满足中等功率、高电流应用的要求,是一款适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。
供应商型号: PSMN004-60B-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) PSMN004-60B-VB

PSMN004-60B-VB概述

    PSMN004-60B MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    PSMN004-60B 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列,具有高可靠性及卓越的性能,适用于多种电力转换和控制场合。主要用途包括开关电源、电机驱动、电池管理、LED 驱动等高效率电子系统。

    技术参数


    PSMN004-60B 的主要技术参数如下:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏极-源极电压(VDS):60V
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 持续漏极电流(TC=25°C):150A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):350A
    - 单脉冲雪崩电流:65A
    - 单脉冲雪崩能量:211mJ
    - 最大功耗(TC=25°C):220W
    - 静态特性:
    - 漏极-源极击穿电压(VDS):60V
    - 栅极-源极阈值电压(VGS(th)):2.0V 至 4.0V
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):1V@VDS=60V, TJ=125°C 时 < 50μA
    - 开态漏极电流(ID(on)):VGS=10V 时 < 120A
    - 开态漏极源极电阻(RDS(on)):VGS=10V 时 < 4mΩ
    - 前向跨导(gfs):VDS=15V 时 < 94S
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):< 7000pF
    - 输出电容(Coss):715pF
    - 反向传输电容(Crss):360pF
    - 总栅极电荷(Qg):96nC 至 145nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):24nC

    产品特点和优势


    PSMN004-60B 具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:开态漏极源极电阻(RDS(on))仅为 4mΩ,这意味着在工作状态下能够显著降低能耗和热耗。
    - 高雪崩耐受能力:单脉冲雪崩电流为 65A,雪崩能量为 211mJ,有效保护设备免受瞬间高压冲击。
    - 快速响应:优秀的动态特性,如较低的输入电容和输出电容,使得在高频开关应用中表现出色。
    - 高可靠性:所有产品都通过 Rg 和 UIS 测试,确保在各种恶劣环境下均能稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:PSMN004-60B 在开关电源中用于提高效率,在电机驱动中用于实现精确控制,在 LED 驱动中用于提升亮度和寿命。
    - 使用建议:在设计过程中,建议注意电源散热问题,适当增加散热措施;选择合适的外部电路组件以充分利用其快速响应特性;对于特殊应用场合,需结合具体环境进行详细评估。

    兼容性和支持


    - 兼容性:PSMN004-60B 兼容市面上大多数标准接口和电路板设计,易于集成到现有系统中。
    - 支持信息:VBsemi 提供全面的技术支持和服务,包括详尽的产品文档、应用指南和在线技术支持。如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,可通过其官方服务热线 400-655-8788 联系他们。

    常见问题与解决方案


    - Q:PSMN004-60B 是否可以在高温环境下工作?
    - A:是的。 该产品可以在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内正常工作,但需特别关注高温下的散热管理。
    - Q:如何优化其在高频开关应用中的表现?
    - A: 尽量减少引线电感,使用低阻抗的栅极驱动电路,确保 PCB 设计能够有效地散热,从而减少热阻并提高整体效率。

    总结和推荐


    PSMN004-60B 在性能上表现出色,特别是在低电阻、高可靠性方面有着明显的优势。非常适合于需要高效、紧凑且可靠的电力转换和控制的应用场景。考虑到其卓越的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在相关项目中使用 PSMN004-60B。

PSMN004-60B-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 150A
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

PSMN004-60B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

PSMN004-60B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 PSMN004-60B-VB PSMN004-60B-VB数据手册

PSMN004-60B-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
800+ ¥ 3.3111
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