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D5N50-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: D5N50-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) D5N50-VB

D5N50-VB概述

    D5N50 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    D5N50 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于功率转换和控制应用。它的主要功能是通过开关操作来实现高效、快速的电流控制。适用于各种需要高效率、低损耗的应用场景,如电源管理、电机驱动和通信设备。

    技术参数


    - 基本规格
    - VDS(最大耐压):650V
    - RDS(on)(导通电阻):10V时为0.95Ω
    - Qg(总栅极电荷):最大15nC
    - 配置:单个
    - 封装:符合RoHS标准
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压):650V
    - VGS(栅源电压):±30V
    - 连续漏极电流(TC=25°C):5A
    - 最大功耗(TC=25°C):205W
    - 最大功率耗散(TC=100°C):35W
    - 最大单脉冲雪崩能量:120mJ
    - 热阻率
    - 最大结至环境热阻(RthJA):无
    - 最大结至外壳热阻(RthJC):无
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(VDS):650V(VGS=0V, ID=250µA)
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0-4.0V(VDS=VGS, ID=250µA)
    - 零栅源漏电流(IDSS):最大10µA(VDS=650V, VGS=0V)
    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):0-320pF(VGS=0V, VDS=25V, f=1.0MHz)
    - 输出电容(Coss):0-75pF
    - 有效输出电容(Coss eff.):无
    - 栅极电荷
    - 栅极-源极电荷(Qgs):无
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):无
    - 开关时间
    - 开启延迟时间(td(on)):最大18ns
    - 上升时间(tr):最大40ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):最大50ns
    - 下降时间(tf):最大30ns
    - 反向恢复特性
    - 反向恢复时间(trr):180ns
    - 反向恢复电荷(Qrr):最大3.2µC

    产品特点和优势


    D5N50 具有多项独特的优势:
    - 低栅极电荷:较低的栅极电荷要求简单的驱动条件,有助于降低功耗。
    - 增强型耐用性:提高了栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性,增强了产品在恶劣环境下的可靠性。
    - 全面的电容和雪崩特性表征:确保了在各种工作条件下的稳定性能。
    - 符合 RoHS 指令:无铅环保,满足国际标准。

    应用案例和使用建议


    D5N50 广泛应用于多种功率控制电路中,例如:
    - 电源转换器:用于高效、快速的电流控制。
    - 电机驱动器:提供精确的电流控制以提高能效。
    - 通信设备:用于信号切换和电流调节。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意栅极驱动的设计,避免过高的栅极电压。
    - 选择合适的散热措施,以确保长期可靠运行。
    - 在测试过程中,关注栅极-漏极电荷的优化,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    D5N50 具有良好的兼容性,适用于多种封装形式,如 TO-220AB、TO-252 等。供应商提供了详细的技术文档和支持,确保用户能够顺利完成集成和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定栅极电荷?
    - 解答:通过查阅技术手册中的图表,根据 VGS 和 ID 的变化来确定栅极电荷。
    - 问题:如何避免因高温导致的功耗问题?
    - 解答:设计适当的散热系统,并确保在使用过程中不超载,从而保持在安全的工作温度范围内。

    总结和推荐


    D5N50 是一款高性能、可靠的 N-Channel MOSFET,适用于各种功率管理和控制应用。其优越的耐用性和全面的电气特性使其成为市场上同类产品的佼佼者。推荐在需要高效率和可靠性的应用中使用 D5N50。

D5N50-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
配置 -
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

D5N50-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

D5N50-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 D5N50-VB D5N50-VB数据手册

D5N50-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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