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W216-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: W216-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) W216-VB

W216-VB概述

    Dual N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Dual N-Channel 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的电源管理组件。它包含两个N沟道功率MOSFET,适用于笔记本电脑系统电源管理和低电流DC/DC转换器等领域。该产品具有高性能和高可靠性,能够满足多种应用需求。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\):30V
    - 栅源电压 \(V{GS}\):±20V
    - 持续漏极电流(\(TJ\) = 150°C):
    - \(TC\) = 25°C 时:8.5A
    - \(TA\) = 25°C 时:7.2A(板散热)
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\):30A
    - 源漏电流二极管电流:
    - \(TC\) = 25°C 时:2.8A
    - \(TA\) = 25°C 时:1.8A(板散热)
    - 电气特性
    - 静态漏源击穿电压 \(V{DS}\):30V
    - 栅漏电荷 \(Qg\)(\(V{DS}\) = 15V,\(V{GS}\) = 10V,\(ID\) = 8A):14.5-22nC
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\)(\(V{DS}\) = \(V{GS}\),\(ID\) = 250µA):1.2-2.5V
    - 正向传输电导 \(g{fs}\)(\(V{DS}\) = 15V,\(ID\) = 8A):27S
    - 输出电容 \(C{oss}\):140pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\):86pF

    3. 产品特点和优势


    - 沟槽式TrenchFET™ 功率MOSFET:确保更高的开关速度和更低的损耗。
    - 100% RG测试:所有器件均经过100%栅极电阻测试,保证质量和可靠性。
    - 100% UIS测试:所有器件都通过了雪崩能量测试,增强了耐用性和可靠性。
    - 符合RoHS标准:符合欧盟关于有害物质的限制指令,确保环保和安全性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 笔记本系统电源管理:适合用于笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理系统。
    - 低电流DC/DC转换器:可应用于各种低功耗设备的直流到直流转换器中。
    使用建议:
    - 确保正确安装和布局电路板,以避免过热。
    - 使用适当的散热措施,特别是在高温环境下运行时。
    - 定期检查和维护,以保持最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准SO-8封装,可与大多数同类设备和电路板兼容。
    - 支持和服务:提供详细的技术手册和全面的支持服务,包括在线文档和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备无法正常启动。
    - 解决方案:检查电源连接和输入电压是否符合要求。如果仍然无法解决问题,尝试更换其他组件并重新检查电路板布局。

    - 问题2:发热过高。
    - 解决方案:确认电路板设计中有足够的散热措施。考虑添加散热片或改善通风条件。

    7. 总结和推荐


    Dual N-Channel 30V MOSFET 是一款高性能的功率管理组件,具有卓越的电气特性和广泛的应用范围。其出色的开关特性和高效的能量转换能力使其成为笔记本电脑系统电源管理和低电流DC/DC转换器的理想选择。因此,强烈推荐使用此产品。

W216-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 8.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W216-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

W216-VB数据手册

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W216-VB封装设计

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