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K0365-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,80A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.82Vth(V) 封装:QFN8(5X6)产品是一款单极性N 型 MOSFET,该产品适用于需要更高漏极电流和低导通电阻的应用场景
供应商型号: K0365-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K0365-VB

K0365-VB概述

    K0365-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K0365-VB 是一款N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TrenchFET®技术制造。这款MOSFET 主要用于整流、服务器电源管理及直流到直流转换等领域。它的低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力使其在多种电子设备中具有广泛的应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | - | 45 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 210 | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | - | 6 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 95 | mJ |
    | 持续源极漏极二极管电流 | IS | - | - | 8 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | - | 155 | W |
    | 最大热阻 | RthJA | 32 | - | 40 | °C/W |
    | 开启延迟时间 | td(on) | 18 | - | 27 | ns |
    | 上升时间 | tr | 11 | - | 17 | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | 70 | - | 105 | ns |
    | 下降时间 | tf | 10 | - | 15 | ns |

    3. 产品特点和优势


    - 高效能:K0365-VB 采用TrenchFET®技术,确保了高效的电流传导能力。
    - 可靠性高:100%的Rg和UIS测试保证了产品的长期可靠运行。
    - 符合RoHS标准:完全符合欧盟RoHS指令,确保环保且无害。
    - 兼容性强:适用于多种电子设备,特别是在服务器和服务器电源管理方面表现出色。

    4. 应用案例和使用建议


    - OR-ing电路:常用于服务器电源管理,确保在不同电源之间安全切换。
    - 直流到直流转换:在直流电源转换过程中提供高效可靠的开关控制。
    - 系统设计建议:为了最大化效率,建议在使用时配合良好的散热系统,以防止温度过高导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K0365-VB 具有广泛的兼容性,可以与其他电子元器件和设备无缝集成。
    - 厂商支持:客户可以通过服务热线(400-655-8788)获取技术支持和维护信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:功率耗散过大
    - 解决办法:确保散热系统正常工作,避免长时间过载运行。
    - 问题2:栅源电压超出限制
    - 解决办法:严格控制输入电压,确保不超过±20V的限制。
    - 问题3:开启延迟时间长
    - 解决办法:优化电路布局,减少线路长度和干扰,提高信号质量。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K0365-VB N-Channel 30-V MOSFET 具有高性能、高可靠性和广泛的应用范围。它是一款优秀的电源管理组件,尤其适合用于服务器和直流到直流转换领域。因此,我们强烈推荐使用K0365-VB作为高效可靠的电子元器件选择。

K0365-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 820mV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 80A
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K0365-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K0365-VB数据手册

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K0365-VB封装设计

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500+ ¥ 1.987
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